Utilisation de mesures d'effet hall pour la determination simultanee des concentrations de donneurs et accepteurs dans les semiconducteurs: Application au silicium n

Roizes, A.; Roux, Jean-Marc; Schüttler, R.

doi:10.1016/0038-1101(71)90132-8

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“…Le tableau 1 donne les valeurs des différents paramètres ainsi déterminés sur différents échantillons. On a ajouté, pour deux échantillons, la valeur de mobilité ainsi déduite et celle mesurée par une technique de Hall [23] et qui sont en assez bonne concordance.…”

Section: D'oùunclassified

Caractérisation d'un substrat semiconducteur par technique micro-onde et injection photonique

Orgeret¹,

Boucher²

1978

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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La méthode de caractérisation utilisée permet la détermination de la durée de vie, de la constante de diffusion des porteurs en volume et des vitesses de recombinaison en surface pour une plaquette semiconductrice standard, sans aucun traitement technologique préalable. Le principe de mesure est de faire l'étude de la variation de la transmission de la plaquette lorsque l'on soumet celle-ci à un flux de photons. Une analyse photofréquentielle associée à un modèle mathématique exact permet de réaliser par identification la détermination des paramètres recherchés. Des résultats ont été obtenus sur des échantillons de silicium de résistivité moyenne et élevée

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Section: D'oùunclassified

Caractérisation d'un substrat semiconducteur par technique micro-onde et injection photonique

Orgeret¹,

Boucher²

1978

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Precipitation of impurities into silicon

Schüttler¹,

Fortin²,

Roux³

et al. 1971

Phys. Stat. Sol. (a)

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Impurity heterogeneity has been studied along a nearly compensated silicon crystal. The doping impurities were phosphorus and aluminium. The validity of quantitative measurements on the whole sample (such as Hall effect, mass spectrometry, nuclear activation) have been checked by qualitative methods of microobservation (X‐ray microprobe, electron microscopy). A theoretical model has been set up which tentatively explains why impurities may precipitate in different ways.

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Galvanomagnetic effects in p-type silicon application to electrically active impurity contents

Roizes

Schüttler

1978

Phys. Stat. Sol. (a)

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Utilisation de mesures d'effet hall pour la determination simultanee des concentrations de donneurs et accepteurs dans les semiconducteurs: Application au silicium n

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Caractérisation d'un substrat semiconducteur par technique micro-onde et injection photonique

Caractérisation d'un substrat semiconducteur par technique micro-onde et injection photonique

Precipitation of impurities into silicon

Galvanomagnetic effects in p-type silicon application to electrically active impurity contents

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