Uniform High-Current Cathodes Using Massive Arrays of Si Field Emitters Individually Controlled by Vertical Si Ungated FETs—Part 2: Device Fabrication and Characterization

Влияние Высокодозной Имплантации Углерода На Фазовый Состав, Морфологию И Автоэмиссионные Свойства Кристаллов Кремния

“…Недостатками полевых источников электронов на ос-нове кремния являются высокая чувствительность к со-стоянию поверхности и низкие плотности автоэмиссион-ных токов, которые, как правило, находятся в интервале 50−150 мкА/см 2 [1,2]. Такие плотности токов удовле-творяют требованиям использования чисто кремниевых автоэмиссионных катодов в области FED (field emission displays -дисплеев с полевыми эмиттерами) [3].…”

Использование Атомной Структуры Кристаллов Кремния Для Получения Многоострийных Полевых Источников Электронов

“…Так, в работе [4] сотрудников Мас-сачусетского технологического института для плотного массива эмиттеров в виде высокоаспектных пиков из кремния n-типа, созданных с помощью микротехноло-гии, получены значения максимальной плотности авто-эмиссионного тока J = 145 мкA/см 2 при напряженности поля анода E = 32 В/мкм. Такие плотности токов удовле-творяют требованиям использования чисто кремниевых автоэмиссионных катодов в области FED (field emission displays -дисплеев с полевыми эмиттерами) [5].…”

Влияние Электронного Насыщения Таммовских Уровней На Автоэмиссионные Свойства Кристаллов Кремния

“…Так, в работе [1] сотрудников Массачусетского технологического института для плот-ного массива эмиттеров в виде высокоаспектных пиков из кремния n-типа, созданных с помощью микротех-нологии, получены значения максимальной плотности автоэмиссионного тока J = 145 µA/cm 2 при напряжен-ности поля анода E = 32 V/µm. Однако использова-ние высокоаспектных эмиттеров, а также различных конструктивных решений, направленных на повышение фактора усиления поля β путем уменьшения радиусов эмитирующих острий, диаметров отверстий в управляю-щих электродах или создания нанолезвийных планарных структур, приводит к усложнению технологии изготов-ления и сопровождается, как правило, снижением надеж-ности и увеличением себестоимости автоэмиссионных устройств [1,2]. В связи с этим большой как фунда-ментальный, так и прикладной интерес представляют исследования альтернативных путей, направленных на повышение воспроизводимости и улучшение эмисси-онных характеристик автокатодов, которые были бы связаны не только с конструктивными, но и с физико-химическими модификациями эмитирующих поверхно-стей кремниевых кристаллов.…”