“…Так, в работе [1] сотрудников Массачусетского технологического института для плот-ного массива эмиттеров в виде высокоаспектных пиков из кремния n-типа, созданных с помощью микротех-нологии, получены значения максимальной плотности автоэмиссионного тока J = 145 µA/cm 2 при напряжен-ности поля анода E = 32 V/µm. Однако использова-ние высокоаспектных эмиттеров, а также различных конструктивных решений, направленных на повышение фактора усиления поля β путем уменьшения радиусов эмитирующих острий, диаметров отверстий в управляю-щих электродах или создания нанолезвийных планарных структур, приводит к усложнению технологии изготов-ления и сопровождается, как правило, снижением надеж-ности и увеличением себестоимости автоэмиссионных устройств [1,2]. В связи с этим большой как фунда-ментальный, так и прикладной интерес представляют исследования альтернативных путей, направленных на повышение воспроизводимости и улучшение эмисси-онных характеристик автокатодов, которые были бы связаны не только с конструктивными, но и с физико-химическими модификациями эмитирующих поверхно-стей кремниевых кристаллов.…”