Understanding EUV Lithography: The technology that enables extension of Moore's Law

Bakshi, Vivek

doi:10.1117/2.2201807.03

Cited by 49 publications

(73 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В связи с разработкой источника для литографических установок большое внимание уделяется моделированию спектра олова [23,24]. Поэтому необхо-димо провести оценку возможного влияния эффекта Штарка в рабочей области параметров.…”

Section: прозрачная плазма оловаunclassified

The ion broadening calculating method for a nonequilibrium plasma

2017

View full text Add to dashboard Cite

Section: прозрачная плазма оловаunclassified

The ion broadening calculating method for a nonequilibrium plasma

2017

View full text Add to dashboard Cite

“…Advanced EUV sources, such as based on laser-produced plasmas and discharge-produced plasmas, are capable of generating powerful radiation at the next generation lithography wavelengths, e.g., at 13.5 nm within a 2% spectral bandwidth [1][2][3][4], which matches the bandwidth of a typical Mo/Si 10-mirror optical system designed for high numerical aperture [5]. However, as EUV generating plasmas are based on excitation to extremely high temperatures, emission occurs at multiple atomic and ionic transitions.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Narrowband and tunable anomalous transmission filters for spectral monitoring in the extreme ultraviolet wavelength region

et al. 2017

View full text Add to dashboard Cite

We present the first experimental demonstration of a novel type of narrowband and wavelength-tunable multilayer transmission filter for the extreme ultraviolet (EUV) region. The operating principle of the filter is based on spatially overlapping the nodes of a standing wave field with the absorbing layers within the multilayer structure. For a wavelength with a matching node pattern, this increases the transmission as compared to neighboring wavelengths where anti-nodes overlap with the absorbing layers. Using Ni/Si multilayers where Ni provides strong absorption, we demonstrate the proper working of such anomalous transmission filter. The demonstration is carried out at the example of 13.5 nm wavelength and at normal incidence, providing a 0.27 nm-wide transmission peak. We also demonstrate wavelength tunability by operating the same Ni/Si filter at different wavelengths by varying the angle of incidence. As the multilayer filter is directly deposited on the active area of an EUV-sensitive photodiode, this provides an extremely compact device for easy spectral monitoring in the EUV. The transmission spectrum of the filter is modeled and found to be in good agreement with the experimental data. The agreement proves that such filters and compact monitoring devices can be straightforwardly designed and fabricated, as desired, also for other EUV wavelengths, bandwidths and angles of incidence, thereby showing a high potential for applications. (23), 3207-3212 (2004). 10. W. Schwanda, K. Eidmann, and M. C. Richardson, "Characterization of a flat-field grazing-incidence XUV spectrometer," J. X-Ray Sci. Technol. 4(1), 8-17 (1993). 11. N. Nakano, H. Kuroda, T. Kita, and T. Harada, "Development of a flat-field grazing-incidence XUV spectrometer and its application in picosecond XUV spectroscopy," Appl. Opt. 23 (14), 2386-2392 (1984 of free-standing, high-line-density transmission gratings for the vacuum UV to soft X-ray range," Opt. Express 23(4), 4421-4434 (2015).

show abstract

“…In a second step (see chapter 5), direct simulation of the dynamics of a low-density plasma, ignited by an electron avalanche, in the presence of a diagnostic probe was used as both a validation step and as a first direct comparison between experiment and model. In this study, the plasma, the probe response to the plasma, and the probe's influence on the plasma were all included in the model.…”

Section: Discussionmentioning

confidence: 99%

“…However, this comes with a set of new problems, since the usual transmission optics cannot be used. Moreover, the shi to reflective optics in turn requires to decrease the wavelength even more², hence the wavelength range for next generation of optical lithography is in the 10 -20 nm (see introduction in [5]).…”

Section: Euv Lithography Mirrors and Pulsed Plasmasmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Numerical study of extreme-ultra-violet generated plasmas in hydrogen

Astakhov¹

View full text Add to dashboard Cite

Plasma probe characteristics in low density hydrogen pulsed plasmas, Plasma Sources Sci. Technol. 24, 055018 (2015). Exploring the electron density in plasma induced by EUV radiation: II. Numerical studies in argon and hydrogen, submied Chapter 7 D.I. Astakhov, W.J. Goedheer, C.J. Lee, V.V. Ivanov, V.M. Krivtsun, O. Yakushev, K.N. Koshelev, D. V. Lopaev, and F. Bijkerk, Numerical and experimental studies of the carbon etching in EUV-induced plasma, submiedis work is part of the research programme 'Controlling photon and plasma induced processes at EUV optical surfaces (CP3E)' of the 'Stichting voor Fundamenteel Onderzoek der Materie (FOM)', which is financially supported by the 'Nederlandse Organisatie voor Wetenschappelijk Onderzoek (NWO)'. e CP3E programme is co-financed by Carl Zeiss SMT and ASML. We also acknowledge financial support from Agentschap NL (EXEPT project). Aknowledgments 109 Curriculum vitae 110Bibliography 112 Краткое содержаниеДанная работа посвящена численному моделированию динамики плазмы в водороде, индуцированной мягким рентгеновским излучением. Такую плазму возможно использовать для очистки (и поддержания чистоты) поверхности оптических элементов используемых в установках проекционной литографии в диапазоне мягкого рентгена, что обуславливает актуальность данной задачи. Для моделирования плазмы использовался метод частиц в ячейках в двумерной, цилиндрически симметричной постановке. Такой подход позволил получить количественные оценки для различных величин, измеряемых в эксперименте(например, ток, прошедший через электрод), и соотнести их с параметрами плазмы, полученными в результате моделирования. Для проверки точности модели были проведены тестовые расчеты, в которых проверяли, воспроизводит ли модель результаты экспериментов с дрейфовыми трубами (см. главу 2, раздел 2.8).Следующим шагом был проведен расчет зондовой характеристики, измеренной в установке, в которой водородная плазма образовывалась в результате развития электронной лавины (см. главу 5). Конфигурация эксперимента была осе-симметричной, что позволило самосогласованно учесть влияние цилиндрического зонда на формирование плазмы. Результаты расчетов и измерений тока на зонд совпали с достаточной точностью, однако параметры плазмы полученные в расчете существенно разошлись с таковыми из анализа зондовой характеристики с помощью стандартных зондовых теорий. Эти различия указывают на то, что стандартные методы анализа зондовых характеристик в случае импульсных плазм должны применяться с осторожностью, и разница между предсказаниями разных моделей отклика зонда может трактоваться как оценка погрешности определения характеристик плазмы.Успешное моделирование эксперимента с электронной лавиной позволило перейти к более сложному случаю, и рассмотреть формирование плазмы в газе из-за поглощения мягкого рентгеновского излучения. Введение излучения в модель привело к появлению большого количества плохо определенных параметров, таких как интенсивность излучения, временная, пространственная и спектральная форма импульса излучения и т....

show abstract

Understanding EUV Lithography: The technology that enables extension of Moore's Law

Cited by 49 publications

References 0 publications

The ion broadening calculating method for a nonequilibrium plasma

The ion broadening calculating method for a nonequilibrium plasma

Narrowband and tunable anomalous transmission filters for spectral monitoring in the extreme ultraviolet wavelength region

Numerical study of extreme-ultra-violet generated plasmas in hydrogen

Contact Info

Product

Resources

About