Über das Wachstum von Iodidschichten auf Silber‐ und Kupferunterlagen durch simultane Kondensation und Reaktion

Abstract

Die durch freie Verdampfung von Silber‐ und Kupferiodid erzeugten Dämpfe weisen erheblich höhere Iodanteile auf als die entsprechenden Gleichgewichtsdämpfe. Auf Silber‐ und Kupferunterlagen von Raumtemperatur wachsen in diesen Dämpfen Iodidschichten durch simultane Iodidkondensation und Reaktion der Unterlage mit Iod. Es werden Meßverfahren angegeben, mit denen die zeitlichen Verläufe und die Anteile beider Prozesse erfaßt werden können. Das Zeitgesetz des Schichtwachstums und die Abhängigkeit der kinetischen Parameter der Kondensation und Reaktion von den Aufdampfbedingungen zeigen, daß der Mechanismus eine unabhängige Überlagerung der beiden Einzelprozesse ist. Durch Vergleich der Stoffströme, die aus Gleichgewichtsdrücken berechnet werden, mit den aus den Kondensationsraten berechneten, können Verdampfungskoeffizienten abgeschätzt werden. Sie sind kleiner als 10−1.