Transition from Coulomb blockade to resonant transmission regime in superconducting tunnel junctions with W-doped Si barriers

Intrinsically shunted Josephson junctions for electronics applications

“…3 In the right inset in Fig. 3 we present theoretical expectations [56] and related experimental data for five superconductive junctions formed by superconducting MoRe-alloy electrodes and a several tens nm thick Si interlayer doped by tungsten [62]. From the comparison in Fig.…”

“…Fig.3. Current-voltage characteristic (solid line) of a representative MoRe-Si:W-MoRe junction shown schematically in the left inset, the dopant concentration cW = 7.5 at.%, dSi = 38 nm, T = 4.2 K, a high-voltage asymptote (dashed line) exhibits the presence of an excess current Iexc[62]. The right inset shows Ic/Iexc ratios for different dopant concentrations cW,, thick solid and dotted lines correspond to theoretical Ic/Iexc values for a strongly inhomogeneous barrier with a universal distribution function(5) and without it, respectively, calculated at 4.2 K, whereas related thin lines are for 0 K.…”

Charge Transport in Heterostructures Based on Two-Gap Superconductors

“…На одном и том же образце создается I-N′ переходной слой между ним и инжектором. При этом изолятор представляет собой полупроводниковую пленку толщиной несколько десятков нанометров с массивом квантовых точек, образованных мельчайшими гранулами переходных металлов [10], вероятность туннелирования сквозь которую меняется локально от единицы (квантово-перколяционный путь) до ничтожно малых величин (квантовое туннелирование). Измерения с помощью сканирующего туннельного микроскопа позволят определить спектр проводимости G(V) в разных точках и сравнить его с расчетными.…”

Negative $N$-Type Differential Resistance in Current–Voltage Characteristics of Metal Heterostructures

“…Что касается экспериментальной реализации обсуждаемого эффекта, то, по нашему мнению, наиболее перспективными объектами такого рода могут быть двухбарьерные джозефсоновские гетероструктуры, реализованные, в частности, в работе [11]. При этом в качестве сверхпроводниковых обкладок следует использовать соединения с переходными металлами, которые обладают хорошей поверхностью и достаточно высокими температурами сверхпроводящего перехода, например, NbN [12] или MoRe [13,14].…”