Time-lag in nucleation of oxide precipitates in silicon due to high temperature preannealing

A microscopically accurate continuum model for void formation during semiconductor silicon processing

“…An important contribution of the present work is to study the validity of applying a continuum concept such as s to atomic scale clusters. Initial void growth modeling studies either assumed steady-state nucleation rates or derived approximate analytical expressions for isothermal conditions to describe transient nucleation behavior [17,18]. For example, Nakamura et al [19] assumed a steady state embryo size distribution during crystal cooling in their use of the classical nucleation rate expression.…”

Oxygen precipitation in nitrogen doped Czochralski silicon wafers. I. Formation mechanisms of near-surface and bulk defects

“…6(b) and 6(c), follows the same trend as the OPP profile, then slowly decays starting from the lower edge of the LDZ. 40,41 The removal of nuclei and the low O diffusivity 42 in N-free silicon are the factors for the small size of precipitates and the low strain in the surrounding Si matrix as shown in Fig. The strong correlation of SIMS [N] and OPP defect profile suggests that nitrogen complexes control the nuclei generation and distribution.…”

Kinetics of Formation and Growth of Microdefects in Crystals

“…Зародышеобразование может осуществляться в узлах кристаллической решетки, где несколько свободных атомов кислорода находятся близко один к другому (гомогенное зародышеобразование [43,44]), или на дефекте решетки (гетерогенное зародышеобразование [7,11,12,13]). Оба процесса ведут к формированию зародышей, которые имеют различные распределения и размеры.…”

“…Эта модель насыщения при зародышеобразовании подтверждается хорошим совпадением с экспериментом [44]. В работе [44] был сделан вывод о том, что гомогенное зародышеобразование лежит в основе явления, характеризующего рост преципитатов и получившего название временная задержка, что для соотношения (6) рассматривается как экспериментально установленный факт.…”