Theory of axial dechanneling

Abstract

Making use of the generalized Fokker-Planck equation, and the diffusion coefficients for the many-phonon excitations and the single electron excitation, the dechanneled fractions for 1.6 MeV H+ in the Si f l l O ] axis are calculated numerically. The temperature dependence of the calculated results is stronger than that of the Lindhard model. Comparison between the present results and the experiments is also made.Unter Benutzung der verallgemeinerten Fokker-Planck-Gleichung und den Diffusionskoeffizienten fur die Mehr-Phononenanregungen und der Ein-Elektronenanregung werden die Dekanalisierungsanteile fur 1,6 MeV-H+ in der Si-[llOI-Achse numerisch berechnet. Die Temperaturabhhngigkeit der berechneten Egebnisse ist stirker als die des Lindhard-Modells. Ein Vergleich zwischen den berechneten Werten und Experimenten wird ebenfalls durchgefiihrt.