The field dependence of the conductivity is related to the basic properties of the electronic structure in amorphous semiconductors, i.e. charged intrinsic defects with negative effective correlation energy and localized states in the tails at the band edges. The general formalism of the model considers the Poole-Frenkel effect which causes an increased carrier density and the field dependence of the mobilit,y of carriers moving by hopping among the localized states in the tails at the band edges. Special cases are discussed leading to the various types of field dependence, that have been observed experimentally.Die Feldabhangigkeit der Leitfahigkeit wird auf grundlegende Eigenschaften der elektronischen Struktur in amorphen Halbleitern zuruckgefiihrt, namlich auf die Existenz von Eigendefekten mit negativer effektiver Korrelationsenergie und von lokalisierten Zustiinden in den Bandausliiufern. Die allgemeine Formulierung des Modells bezieht sich auf den Poole-Frenkel Effekt, durch welchen ein Ansteigen der Tragerdichte hervorgerufen wird und auf die Feldabhangigkeit der Beweglichkeit von Tragern, die sich durch Spriinge innerhalb der lokalisierten Zustande in den Bandansliiufern bewegen. Spezialfiille werden diskutiert, die zu den untenchiedlichen experimentell beobachtbaren Formen der Feldabhangigkeit der Leitfahigkeit fuhren.