The influence of the growth temperature on residual impurities in SSD‐GaP

Abstract

The incretise of t h e growth tetiiperatrire diiring t h e SSD process causes a rise of t h e growth rate of t h e Gap. Hall effect anti 1)tiotolutriiiiescriice iiieasureiiieiits as well a s clieinical atia.lysis were rivet1 t o investigate t h e ctiaiige of t h e contents of residual iiiipurities in t h e %a€' in del)eiitleiice on t h e growth teiiiperatrire.Carbon was detected to be t h e tloiiiiriatitig shallow acceiitor in t h e uiitIo~)etl I)-tyl)e SSD-GuP. Its colicelitratioti increases clearly with raising growtli tetiil)eratiiro whereas for S airtl N ititlirectly can I)e coricluded t h a t their concentrations cliiiiinish. Carbon and silicoii ttre incorporated in t h e G a p in p a r t iu electrically inactive forill.1 1 1 all saiiil)les exists I)esitle tlie shallow acceptor a nrecliu~n deep acce1)tor t h e conceiitratiori of which is strongly correlated to t h a t of the carLon acceptor. The Iiiwiiiesceiicespectra of t h e 1)-type saiiiples show a ty1)ical broad band with it ~iiaxiiiiuiii at 1.90 eV whose or@ i s discussed.Die Erhiihirtig tler Ziictitirngsteiii~~eratrir h a t eiii Anwachseii tler Gescliwiiidigkeit cler Ual'-l(risttilliutttioti beiiii SSD-Verltthreii zur Polge. Halleffekt-u i i d Lutiiitieszeirziiiessiiriget1 sowie tlie clieiiiisclro Analyse wiirtleii eingesetzt, 11111 die Veriiii(1eriiiig der ReststiirstelleiikonzeiitratioiieIi i i i i G a p init der Zuclitrriigstein1,eratiir zu verfolgeii.Kotilenstoff wrirtle als clotiiiiiiereiitler flacher Akzeptor iiii uirdotierteri l)-leitetideii SSDGal' iiachgewieseii. Seine Konzetitration steigt tleutlich tiiit wuchseritier Ziichtiiiigsteiii-I)erutiii*, wiihreirtl fur S r i i r t l N iritlirekt geschlossen werdeii kanii, dal3 ilire Koiizeiitratioiieti abtiehtiien. Kolileiistoff iintl Silizirriii siiid iiii G a P zuni griifjteii Teil elektrisch iiiaktiv eiiigetmut.In alleri l'roberi existiert neben tleiii flacheii Akzeptor eiri iiiitteltiefer Akzeptor, tlesseti Konzeiitratioii streng i i i i t der des C-Akzeptors korreliert ist. Die Luiiiineszenzs1)ektrerr des 1)-leitetideii G a P zeigen eiiie typisctie breite B a d e init eiiieiii Maxiinuiii bei 1,90 eV, dereii Herkuiift diskutiert wird.