Carrier concentration profiles across GaP grain boundaries observed by raman measurements

Abstract

Raman measurements are performed on grain boundaries in n-type and p-type GaP grown by tjhe SSD method. The high-angle grain boundaries investigated show all a central region of carrier depletion (width about 20 pm) which is attributed to dopant depletion. Beside it exist broad ranges of carrier accumulation not always clearly pronounced. Possible reasons of the formation of these profiles are discussed.Ramanmessungen erfolgen an Korngrenzen in n-und p-Gap, das nach dem SSD-Verfahren gezuchtet wurde. Die untersuchten GroSwinkelkorngrenzen zeigen alle ein zentrales Gebiet der Tragerverarmung (Breite etwa 20 pm), das auf eine Dotandenverarmung zuruckgefuhrt wird. Daneben existieren breite Gebiete der Trageranreicherung, die nicht immer deutlich ausgepriigt sind. Mogliche Ursachen fur die Ausbildung dieser Profile werden diskutiert.