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Atomic absorption spectroscopy (AAS) is used to determine the Ge concentration in Gal-,In,As and GaAs. The orientation dependence of Ge incorporation in (11 1)A-and (1 1 l)B oriented samples has been studied. The distribution coefficients for both the orientations were determined to be k$il)* = 2.6 -10-2 and k$;lB = 1.4for Gal-,In,As with 0 5 x 0.13. The differences between the two orientations are explained with the aid of the band bending model. Doping gradients in thick epitaxial layers and along crystal length of polycristalline TGS-grown GaAs ingots have been investigated too. In Gal -,In,As layers any Ge concentration gradient couldn't be observed, but in TGS compact crystals Ge concentration increases with crystal length because the melt composition changes significantly during solidification. The results are compared with those of electrical measurements.Mit Hilfe der Atomabsorptionsspektroskopie (AAS) werden Ge-Konzentrationen in Gal-,In,As und GaAs bestimmt. I n LPE Schichten wird Germanium in (111)A-und (1 1 1)B-orientierte Proben in unterschiedlicher Konzentration eingebaut. Die Verteilungskoeffizienten ergeben sich entsprechend zu k#il)* = 2 . 6 . 10-2 und k$&l)B = 1.4lo-% fur Gai-,Tn,As mit 0 x 5 0.13. DieUnterschiede zwischen den Orientierungen werden mittels des "band bending"-Modells erkliirt. -Relativ dicke Epitaxieschichten und nach einer TGS-Methode gewachsene GaAs Kompaktkristalle wurden auf Dotierungsgradienten hin untersucht. WBhrend in Gal -,In,As Epitaxieschichten ein iiber die Schichtdicke konstanter Germaniumgehalt gefunden wird, ist in den Kompaktkristallen ein Ansteigen der Germaniumkonzentration niit der Kristalliinge zu verzeichnen, da sich die Schmelzenzusammensetzung im Verlaufe des Wachstums merklich verandert. Die Ergebnisse werden mit elektrischen Daten analoger Proben verglichen,
Atomic absorption spectroscopy (AAS) is used to determine the Ge concentration in Gal-,In,As and GaAs. The orientation dependence of Ge incorporation in (11 1)A-and (1 1 l)B oriented samples has been studied. The distribution coefficients for both the orientations were determined to be k$il)* = 2.6 -10-2 and k$;lB = 1.4for Gal-,In,As with 0 5 x 0.13. The differences between the two orientations are explained with the aid of the band bending model. Doping gradients in thick epitaxial layers and along crystal length of polycristalline TGS-grown GaAs ingots have been investigated too. In Gal -,In,As layers any Ge concentration gradient couldn't be observed, but in TGS compact crystals Ge concentration increases with crystal length because the melt composition changes significantly during solidification. The results are compared with those of electrical measurements.Mit Hilfe der Atomabsorptionsspektroskopie (AAS) werden Ge-Konzentrationen in Gal-,In,As und GaAs bestimmt. I n LPE Schichten wird Germanium in (111)A-und (1 1 1)B-orientierte Proben in unterschiedlicher Konzentration eingebaut. Die Verteilungskoeffizienten ergeben sich entsprechend zu k#il)* = 2 . 6 . 10-2 und k$&l)B = 1.4lo-% fur Gai-,Tn,As mit 0 x 5 0.13. DieUnterschiede zwischen den Orientierungen werden mittels des "band bending"-Modells erkliirt. -Relativ dicke Epitaxieschichten und nach einer TGS-Methode gewachsene GaAs Kompaktkristalle wurden auf Dotierungsgradienten hin untersucht. WBhrend in Gal -,In,As Epitaxieschichten ein iiber die Schichtdicke konstanter Germaniumgehalt gefunden wird, ist in den Kompaktkristallen ein Ansteigen der Germaniumkonzentration niit der Kristalliinge zu verzeichnen, da sich die Schmelzenzusammensetzung im Verlaufe des Wachstums merklich verandert. Die Ergebnisse werden mit elektrischen Daten analoger Proben verglichen,
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