The Growth of Large Crystals from the Vapor Phase

Schönherr, E.

doi:10.1007/978-3-642-67467-9_2

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“…This method is typically known as chemical vapor deposition (CVD). An extensive discussion of bulk crystal growth from the vapor phase is given by Schönherr [288]. Bulk crystals or thin oriented films are grown by reacting and/or decomposing one or more volatile precursors in the vapor state and depositing them onto the crystal or substrate.…”

Section: Chemical Vapor Depositionmentioning

confidence: 99%

Crystal Growth through the Ages

Feigelson

2015

Handbook of Crystal Growth

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Section: Chemical Vapor Depositionmentioning

confidence: 99%

Crystal Growth through the Ages

Feigelson

2015

Handbook of Crystal Growth

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“…• transport of the gaseous species from the source to the growth front, which is governed by diffusion and advection (Stefan flow) [12][13][14] and • incorporation of the gaseous species into the surface layer of the growing crystal [15]. The step with the largest time constant determines the growth rate of the crystal.…”

Section: Principle Of Sublimation Growthmentioning

confidence: 99%

Growth of SiC polytypes by the physical vapour transport technique

Semmelroth¹,

Schulze²,

Pensl³

2004

J. Phys.: Condens. Matter

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A brief survey of the development of the sublimation growth of SiC is given. The growth equipment and especially the hot zone of the furnace for the physical vapour transport (PVT) technique are described in detail. In order to grow micropipe-free SiC crystals, near-thermal-equilibrium growth is developed and the individual processing steps are revealed. The essential parameters for the growth of 4H-, 6H-, 15R-and 3C-SiC single crystals are discussed and a survey of the incorporation of donors (N, P) and acceptors (Al, B) during the PVT growth is presented.

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Untersuchung des Kristallwachstums durch sprunghafte Änderung der Übersättigung zur quantitativen Beschreibung des Pizzarello‐Verfahrens

Schönherr

1987

Chemie Ingenieur Technik

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zunehmender Dauer abnimmt. Die Kristalle heilen aus und wachsen mit der Kate der heilen Kristalle weiter, wenn sie nicht erneut beschadigt werden. Leider sind keine Wachstumsgeschwindigkeiten uber der Wachstumsdauer angegeben, so daB ein direkter Vergleich nicht moglich ist. Fur die ubersattigung Ac = 136,5 kg Saccharoselm3 Losung ergibt sich z. B. eine etwa 80% hohere Wachstumsgeschwindigkeit der Bruchstucke. Es lassen sich nun folgende Aussagen machen: Die Autoren danken der Deutschen Forschungsgemeinschaft fur die finanzielle Unterstutzung dieses zur Zeit noch laufenden Projektes. Eingegangen am 1. Dezember 1986 [K 8721 Literatur -Fur einbaukontrolliert wachsende Stoffsysteme sind die Oberflachen-Beschaffenheit und die Wachstumsbedingungen beziiglich mechanischer Beanspruchung und zeitlichem Verlauf wichtige Inforniationen 1) fur die Einschatzung der ermittelten Wachstumswerte, 2) fur die Vergleichbarkeit der ermittelten Wachstumsgeschwin--Fur diffusionskontrolliert wachsende Stoffsysteme sind keine Aussagen iiber Oberflachen-Beschaffenheit und Wachstumsbedingungen bezuglich der mechanischen Beanspruchung wahrend des Wachsens notwendig. -Die hier vorgestellte Apparatur und Vorgehensweise ermoglicht ohne weiteres die Feststellung, ob ein Stoff diffusions-oder einbaukontrolliert wachst. -Weitere Arbeiten sind notwendig, um den Wachstumsmechanismus aufzuklaren und Wachstumstheorien mit ihm in ubereinstimmung zu bringen. digkeiten mit Literaturdaten. [l] Offermann, H.; Ulrich, J.: Industrial Crystallization'84, Proceedings 9th Symp.

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The Growth of Large Crystals from the Vapor Phase

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Growth of SiC polytypes by the physical vapour transport technique

Untersuchung des Kristallwachstums durch sprunghafte Änderung der Übersättigung zur quantitativen Beschreibung des Pizzarello‐Verfahrens

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