The behaviour of arsenic in silicon

Abstract

An investigation is made of the distribution of resistivity, lifetime of minority charge carriers, concentration and mobility of majority charge carriers, and mechanical stresses in the cross section (80 mm in diameter) of monocrystalline silicon doped with arsenic up to a concentration of 6 x 1014 ~m -~. Changing of the above parameters in the thermal treatment of the semiconductor a t temperatures from 900 to 1300 "C is considered and the inf hence of 0,, C, and Sic on the thermostability of Si is analysed. Es wird die Verteilung des Widerstands, der Lebensdauer der Minoritiitsladungstrager, der Konzentration und Beweglichkeit der Majoritatsladungstrager und der mechanischen Spannungen im Querschnitt (80 mm im Durchmesser) von Siliziumeinkristallen m.it Arsendotierung bis zu Konzentrationen von 6 x 1014 ern+ untersucht. Weiter wird die Anderung dieser Parameter bei der Temperung der Halbleiter bei Temperaturen von 900 bis 1300 O C nntersucht und der EinfluB von 0,, C und Sic auf die Thermostabilitat von Si analysiert.