Temperature scaling in the quantum-Hall-effect regime in a HgTe quantum well with an inverted energy spectrum

Arapov, Yu. G.; Gudina, S. V.; Neverov, V. N.; Подгорных, С. М.; Popov, M. R.; Harus, G. I.; Shelushinina, N. G.; Yakunin, M. V.; Михайлов, Н. Н.; Dvoretsky, S. A.

doi:10.1134/s1063782615120039

Cited by 14 publications

(12 citation statements)

References 26 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…1(b)). We believe that the critical exponent value for the bandwidth of delocalized states, 0.54 0.01, κ = ± obtained by us in [39] for HgTe-based heterostructure with inverted band spectrum, as well as a number of results with κ = 0.5-0.75 for systems with large-scale impurity potentials (see Table 1) are driven by a situation schematically represented on Fig. 1 .…”

Section: Diagrams Of Scalingmentioning

confidence: 66%

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential

Gudina

Клепикова

Neverov

et al. 2019

Low Temperature Physics

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

We carried out the analysis of discovered experimental values of the critical parameter κ for the quantum Hall plateau-plateau transitions in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures. It turned out that these values are in the main concentrated at the range of 0.5-0.7. We argue that within the theoretical concepts for the largescale disorder potential, it corresponds to a borderland between quantum tunnelling processes and classical percolation regime. Just, the critical exponent value for the bandwidth of delocalized states, κ = 0.54 ± 0.01, obtained by us for HgTe-based heterostructure with inverted band spectrum, can be associated with a smooth character of impurity potential in our system.

show abstract

Section: Diagrams Of Scalingmentioning

confidence: 66%

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential

Gudina

Клепикова

Neverov

et al. 2019

Low Temperature Physics

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Значения κ при T > 2 K, определенные в настоящем исследовании, хорошо согласуются со значениями, получаемыми на системах с крупномасштабным случайным потенциалом [6,7,11,15,28,29,33,35,36,[40][41][42][43][44]. В частности, во множестве работ для наиболее изученной структуры GaAs/AlGaAs регулярно наблюдаются κ = 0.5−0.75.…”

Section: влияние крупномасштабного случайного потенциалаunclassified

Section: международный симпозиум "unclassified

“…Недавно была исследована температурная зависимость ширины области перехода между плато КЭХ в квантовых ямах HgTe с инвертированным зонным спектром [40]. Было обнаружено скейлинговое поведение с критическим индексом κ = 0.54 ± 0.01 на переходе 1 → 2 в широком интервале температур T = 2.9−30 K [40]. Этот результат объяснен на основе того факта, что основной причиной рассеяния электронов в исследованной структуре являлась примесь In, отделенная спейсером от двумерного слоя, так что в системе имелся крупномасштабный случайный потенциал.…”

Section: международный симпозиум "unclassified

See 1 more Smart Citation

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

Гудина¹,

Арапов²,

Ильченко³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Проведено исследование продольного ρxx и холловского ρxy сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах T = 0.4−30 K в двумерных электронных системах n-In 0.9 Ga 0.1 Аs/In 0.81 Al 0.19 As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления ρxx , связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.

show abstract

“…In our previous paper [10] we have studied the QHE plateau-plateau transition for a wide temperature range T = 2.9-50 K at HgCdTe/HgTe/HgCdTe system with the inverted band structure. In subsequent work [11] the first study of variable-range hopping conductivity at the QHE plateau regions in the HgTe/HgCdTe heterostructure has been done.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

Gudina

Neverov

Novik

et al. 2017

Low Temperature Physics

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

We have measured the temperature (2.9 K < T < 50 K) and magnetic field (0 T < B < 9 T) dependences of longitudinal and Hall resistivities for HgCdTe/HgTe/HgCdTe system with HgTe quantum well width of 20.3 nm. The activation analysis of the experimental magnetoresistivity traces has been used as a quantitative tool to probe inter-Landau level distances. The activation energies were determined from the temperature dependence of the longitudinal resistivity in the regions of quantized Hall plateaus (for the filling factors ν of 1, 2 and 3) and the indications of the large values of the g factor ≅ 30-75 were found.

show abstract

Temperature scaling in the quantum-Hall-effect regime in a HgTe quantum well with an inverted energy spectrum

Cited by 14 publications

References 26 publications

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential

Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential

Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

Contact Info

Product

Resources

About