Неуниверсальное скейлинговое поведение ширины пиков проводимости в режиме квантового эффекта Холла в структурах InGaAs/InAlAs

Abstract

Проведено исследование продольного ρxx и холловского ρxy сопротивлений в области квантовых фазовых переходов в режиме квантового эффекта Холла в магнитных полях до 12 Тл при температурах T = 0.4−30 K в двумерных электронных системах n-In 0.9 Ga 0.1 Аs/In 0.81 Al 0.19 As. Обнаружено неуниверсальное скейлинговое поведение температурной зависимости ширины пиков сопротивления ρxx , связанное с влиянием крупномасштабного случайного потенциала и смешиванием уровней Ландау с разными направлениями спина.