Surface polaritons and intense laser radiation

Abstract

In this paper, we explore some properties of a Markov finite element approximation on a shape-regular triangulation over a polygonal region ⊂ R N . In order to find a fixed density of a Markov operator P : L 1 ( ) → L 1 ( ) efficiently, we propose and analyse a finite element scheme for approximating P , which preserves the Markov structure of the operator.

Nanostructuring of Continuous Gold Film by Laser Radiation Under Surface Plasmon Polariton Resonance Conditions

“…In the case of irradiation of surface by homogeneous waves [16], "hot" fronts appear due to the interference between a laser wave and excited SEW. In contrast to ref.…”

“…In contrast to ref. [16], in our studies PPW is excited in the air/Au/glass system using attenuated total reflectance conditions (Kretchmann geometry) with a maximum efficiency excitation of R ¼ R min ! 0 ð Þ .…”

Лазерно-Индуцированная Генерация Поверхностных Периодических Структур В Средах С Нелинейной Диффузией

“…Эффекты, связанные с образованием на поверхности металлов и полупроводников пространственно-модули-рованных структур с периодом как порядка длины све-товой волны [1][2][3][4], так и значительно меньшей [5][6][7][8][9][10], привлекают значительный интерес исследователей по причине возможности их использования в технологиях фотоники, интегральной оптики, а также микро-и на-ноэлектроники [11][12][13]. Отдельный интерес может пред-ставлять формирование субволновых высококонтраст-ных структур на поверхности полупроводников [10][11][12][13][14][15].…”

“…При облуче-нии ультракороткими импульсами (длительностью ме-нее 100 fs) кристаллическая решетка остается " холод-ной" и практически не принимает участия в поглощении лазерного излучения [8][9][10]. Последнее поглощается электронной подрешеткой и вызывает образование на поверхности полупроводника тонкой пленки металли-зации [3][4][5]. Процесс такой металлизации поверхности полупроводника является нетермическим фазовым пе-реходом, инициированным световым излучением.…”

Temporal Behavior of Modulated Reflectance Signal in Silicon

“…Table 1 lists the major differences between our type of modulated optical reflectance experiments and the more conventional photoreflectance experiments [4][5][6][7][8][9][10]. TEMPORAL BEHAVIOR -LASER "ANNEALING" EFFECT-Of particular interest are the facts that: 1) in our modulated reflectance experiments the main source of signal appears to come from thermoreflectance and Drude effects from the electron-hole plasma [1,11] rather than the electroreflectance effects [12] that tend to dominate the photoreflectance signal; and 2) that the modulated optical reflectance signal appears to exhibit a temporal or laser "annealing" behavior under continuous laser irradiation whereas no such temporal behavior has been observed in photoreflectance.…”