Superionic Conductivity and Specific Effects Induced by γ-Radiation in Nanofibrous TlGaTe2 Crystals

Abstract

-Temperature dependences of electrical conductivity (T), switching effect, THz spectra and permittivity ε(T) of onedimensional (1D)TlGaTe2

Импедансные характеристики γ-облученных твердых растворов (TlGaSe-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(TlInS-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-

“…Среди соединений, которые можно объединить обшей формулой TlВ III С VI 2 , особое место занимают кристаллы с цепочечной и слоистой структурой. Эти соединения проявляют высокую чувствительность в инфракрасной, видимой и рентгеновских областях спектра [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16]. Благодаря этим свойствам соединения используются (и могут быть использованы) как функциональные элементы в системах оптоэлектроники в качестве фоторезисторов, фотоприемников, рентген-детекторов, детекторов ядерного излучения и др.…”

Суперионная проводимость твердых растворов (TlGaSe-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-1-x-=/SUB=-(TlInS-=SUB=-2-=/SUB=-)-=SUB=-x-=/SUB=-

“…Таллиевые халькогениды III группы Периодической таблицы химических элементов, характеризуются цепочечной и слоистой структурой, а соединения на основе этих материалов широко исследуются [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10]. Они характеризуются высокой чувствительностью в инфракрасной, видимой и рентгеновской областях спектра электромагнитных волн, обладают высокой тензочувствительностью.…”

“…В работах [2][3][4][13][14][15]] исследованы температурно-частотные зависимости электрической проводимости и диэлектрические свойства соединений TlGaTe 2 , TlInSe 2 и TlInTe 2 при температурах выше 300 K. Характерной особенностью этих кристаллов является то, что они представляют собой цепочки Ga(In)−Te(Se), вытянутые вдоль тетрагональной оси. Одновалентные атомы таллия имеют октаэдрическое окружение атомами халькогена, и из кристаллохимических соображений можно полагать, что структура этого класса соединений в наибольшей степени благоприятствует мобильности ионов таллия.…”