ResumoFilmes finos de V 2 O 5 têm sido usados como eletrodo passivo para ser aplicado em dispositivos eletrocrômicos que requer determinadas propriedades óptica, cristalográfica e de energia eletroquímica. Essas propriedades são influenciadas pela espessura do filme. Neste trabalho foram determinadas a dependência da espessura, a absorção óptica espectral e o tamanho de partícula dos filmes finos de V 2 O 5 depositados por evaporação térmica com três espessuras nanométricas. A partir dos resultados, ficou claro que esses tamanhos de partículas, aparentemente, não são influenciados pela espessura do filme em sua formação. Assim, verificou-se que a microestrutura, principalmente a espessura, influencia fortemente as propriedades ópticas, especialmente a energia de absorção, dessas amostras. A energia de gap óptico diminui à medida que a espessura do filme aumenta. Isso realmente prova que a espessura do filme pode ser usada como forma de modular a absorção óptica de materiais em dispositivos ópticos e optoeletrônicos. Palavras-chave: Band gap. Óxido de vanádio. Evaporação térmica. Filmes finos.
AbstractThin V 2 O 5 films have been used as a passive electrode to be applied in some electrochromic devices that requires particular optical, crystallographic and electrochemical energy properties. These properties are greatly influenced by the film thickness. In this work were determined the thickness dependence on, spectral optical absorption and particle size of the V 2 O 5 thin films deposited by thermal evaporation in three nanoscale thickness. It is clear from the results that these particles size apparently are not influenced by the thickness of the film in its formation. Thus, it was verified that the microstructure, mainly the thickness, strongly influences the optical properties, especially the absorption energy, of these samples. The optical gap energy decrease as the film thickness increased. This actually proves that film thickness can be used as a way to modulate the materials optical absorption in optical and optoelectronic devices.