Study of near‐surface disorder and surface residues after reactive Ion etching of Silicon

Oehrlein, G. S.; Coyle, George J.; Clabes, J. G.; Lee, Y. H.

doi:10.1002/sia.740090503

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“…D'autres études sur des alliages amorphes hydrogénés de carbone-silicium[16] indiquent 283,7 eV et 100,1 eV respectivement. permet d'attribuer sans ambiguïté à des liaisons Si-C les pics observés directement (Cis 283,4 eV) ou déduits lors de la décomposition (Si2p 100,2 eV).L'étude de la formation de ces liaisons à la surface du silicium apporte des renseignements sur le mécanisme d'initiation du polymère.Le carbure de silicium rapporté ci-dessus [15] a été localisé dans le substrat de silicium sous la couche d'oxyde SiO.,[17].…”

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Analyse XPS des surfaces de Si et SiO2 exposées aux plasmas de CHF3 et CHF3—C2F6. Polymérisation et gravure

Cardinaud

Rhounna

Turban

et al. 1989

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Des surfaces de Si et SiO2 exposées à des plasmas de CHF 3 et CHF3—C2F6 sont caractérisées par spectroscopie de photoélectrons (XPS). Un dépôt fluorocarboné, d'épaisseur variable suivant la composition du gaz et le temps d'exposition, est observé à la surface des matériaux ; les groupements CF3, CF2, CF, C—CFx x = 1 à 3 sont mis en évidence. La composition et la structure du polymère sont discutées. L'interface polymère-substrat est analysée en détail ainsi que le rôle des ions du plasma sur le mécanisme d'initiation du polymère. La compétition entre les processus de gravure et de polymérisation est étudiée dans les mélanges CHF3—C 2F6. Une corrélation est faite entre les résultats d'analyse de surface et ceux d'analyse du plasma par spectrométrie de masse. La gravure du polymère en plasma d'oxygène est enfin étudiée : la vitesse de gravure et la pression partielle du principal effluent de gravure COF2 sont étudiées en fonction du débit ; les surfaces nettoyées sont caractérisées

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