Structural and electrical properties of evaporated Fe thin films

Mebarki, M.; Layadi, A.; Guittoum, A.; Benabbas, A.; Ghebouli, B.; Saad, M.; Menni, N.

doi:10.1016/j.apsusc.2011.02.114

Cited by 24 publications

(4 citation statements)

References 30 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Compared with metallic Co, other magnetic NPs have their unique advantages as well. For example, Fe possesses higher saturation magnetization and magnetic damping capacity [ 162 ]. Fe 3 O 4 holds a better chemical stability [ 101 ].…”

Section: Carbon-based Mof Derivatives For Emw Absorption Applicationsmentioning

confidence: 99%

Carbon-Based MOF Derivatives: Emerging Efficient Electromagnetic Wave Absorption Agents

et al. 2021

View full text Add to dashboard Cite

To tackle the aggravating electromagnetic wave (EMW) pollution issues, high-efficiency EMW absorption materials are urgently explored. Metal–organic framework (MOF) derivatives have been intensively investigated for EMW absorption due to the distinctive components and structures, which is expected to satisfy diverse application requirements. The extensive developments on MOF derivatives demonstrate its significantly important role in this research area. Particularly, MOF derivatives deliver huge performance superiorities in light weight, broad bandwidth, and robust loss capacity, which are attributed to the outstanding impedance matching, multiple attenuation mechanisms, and destructive interference effect. Herein, we summarized the relevant theories and evaluation methods, and categorized the state-of-the-art research progresses on MOF derivatives in EMW absorption field. In spite of lots of challenges to face, MOF derivatives have illuminated infinite potentials for further development as EMW absorption materials.

show abstract

Section: Carbon-based Mof Derivatives For Emw Absorption Applicationsmentioning

confidence: 99%

Carbon-Based MOF Derivatives: Emerging Efficient Electromagnetic Wave Absorption Agents

et al. 2021

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Это было связано с несоответствием интенсивности эксперимен-тально наблюдаемого кольца (222) с его теоретическим значением для (110)-текстуры. Эта текстура также на-блюдалась методом XRD как при термическом [1,11], так и магнетронном [4] распылении Fe на стекле и под-ложках Si с естественным слоем SiO 2 . В спектрах XRD пик, соответствующий отражению (110), отчетливо на-блюдался в диапазоне толщин Fe от 45 до 431 nm.…”

Section: результаты и их обсуждениеunclassified

Исследование структуры ультратонких поликристаллических пленок Fe, выращенных на поверхности SiO-=SUB=-2-=/SUB=-/Si(001)

Балашев¹,

Коробцов²

2018

Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована структура поликристаллических пленок Fe, выращенных на окисленной поверхности Si (001) • C) приводит к увеличению размера зерен. Структурный анализ показывает, что в отличие от пленок с (110)-текстурой, выращенных при комнатной температуре [1,4], высокотемпературные пленки Fe име-ют (100) текстуру [3,5]. Ось текстуры в обоих случаях располагается вдоль нормали к поверхности. В большин-стве случаев исследование магнитных и структурных свойств проводились для довольно толстых пленок Fe, толщиной в несколько десятков нанометров. Для анализа структуры пленок Fe, как правило, использовался метод рентгеновской дифракции (XRD). Согласно распростра-ненной геометрии измерения (Bragg−Brentano) для это-го метода, вектор рассеяния располагается нормально к поверхности. В этом случае пики на рентгеновском спек-тре возникают при пересечении сферой Эвальда только тех узлов обратной решетки, которые располагаются на нормали к поверхности. В случае идеальной текстуры, когда, например, ось [110] (или [100]) кубической ре-шетки зерен Fe располагается преимущественно вдоль нормали к поверхности, наиболее интенсивным на рент-геновском спектре является пик (110) (или 200). С дру-гой стороны, измерения интенсивности в зависимости от полярного угла гониометра (ϕ) при фиксированном брэгговском угле ( hkl ) для дифракционного пика (hkl) позволило показать, что (111) текстура является доми-нирующей в тонких пленках железа [6].Таким образом, представляет интерес исследование начальной стадии роста, с точки зрения возможности определения оптимальных условий синтеза пленок Fe с теми или иными магнитными и электрическими свой-ствами. В работах [5,7,8] показано, что метод ДБЭ на отражение является мощным инструментом для анализа текстуры пленки, позволяющим одновременно регистри-ровать на картине дифракции не только рефлексы, расположенные на нормали к поверхности, но и брэг-говские отражения от других систем плоскостей. Это достигается за счет малого угла падения электронного пучка к поверхности и дифракции электронов на просвет через зерна и шероховатость поверхности нанометровых размеров. Целью настоящей работы было исследование структуры ультратонких пленок железа толщиной в несколько нанометров с использованием метода ДБЭ на отражение. Экспериментальная частьЭксперименты проводились на сверхвысоковакуумной установке " Катунь", оснащенной системами дифракции 75

show abstract

“…In this connection, there is an interest in the use of C, HC and OC samples of monocrystalline silicon doped with various impurities as substrates in such structures by high-temperature diffusion. It is known that C, HC, and OC silicon samples have unique physical properties, namely, high photosensitivity in both the impurity and intrinsic spectral regions [26], infra-low-frequency oscillations of the photocurrent with a large amplitude [27][28], recombination waves [29][30], large positive and negative magnetoresistance [31][32], deep temperature and infrared quenching of photoconductivity [33][34], etc. In addition, the reproducible technology for producing compensated silicon with various impurities has reached its perfection and can be used as an additional degree of freedom both in controlling the parameters of the HS technology and in controlling the effects observed in them.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Lateral Photoelectric Effect In Iron-Silicon Dioxide-Compensated Silicon Hybrid Structures

Arzikulov,

Nurimov,

Salakhitdinov

et al. 2023

East Eur. J. Phys.

View full text Add to dashboard Cite

This article presents experimental results on the technology of obtaining and studying the lateral photoelectric effect (LPE) in hybrid structures (HS) of the Fe/SiO2/p-Si<B, Mn> and Fe/SiO2/n-Si<B, Mn> types. The technology for obtaining such HS consists of two parts: firstly, obtaining compensated (C), highly compensated (HC), and over-compensated (OC) samples of Si <B, Mn>. Secondly, obtaining HS Fe/SiO2/p-Si<B, Mn> and Fe/SiO2/n-Si<B, Mn>. Based on the results, it is shown that sufficiently good HS has been obtained. Experiments on the study of LPE have shown that in the studied HS there is a pronounced manifestation of the lateral photoelectric effect, the magnitude and nature of which strongly depend on the type of conductivity and resistivity of the compensated silicon. The observed features are explained by the fact that in С, HC, and OC silicon samples, impurities that create deep levels in the silicon band gap form various multi-charged complexes that modulate the energy band of silicon, which lead to significant changes in its physicochemical and generation-recombination properties, which underlies the observed effects. Based on the LPE studies, depending on the contact distance, it is possible to determine the numerical values of the diffusion lengths of the minor current carriers (Lp and Ln), their lifetimes (τp and τn), and diffusion coefficients (Dp and Dn) on the substrate material.

show abstract

Structural and electrical properties of evaporated Fe thin films

Cited by 24 publications

References 30 publications

Carbon-Based MOF Derivatives: Emerging Efficient Electromagnetic Wave Absorption Agents

Carbon-Based MOF Derivatives: Emerging Efficient Electromagnetic Wave Absorption Agents

Исследование структуры ультратонких поликристаллических пленок Fe, выращенных на поверхности SiO-=SUB=-2-=/SUB=-/Si(001)

Lateral Photoelectric Effect In Iron-Silicon Dioxide-Compensated Silicon Hybrid Structures

Contact Info

Product

Resources

About