Simulation of two-beam ion implantation in the multilayer and multicomponent targets

Komarov, A. F.; Komarov, F. F.; Żukowski, P.; Karwat, C.; Kamarou, A.

doi:10.1016/s0042-207x(01)00228-7

Cited by 17 publications

(6 citation statements)

References 17 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Our calculations with the BEAM2HD program package [30] show that during the aggregate implanta ∂N As ∂t ∂j As ∂z f As z t , ( ). (5) and (13) can be ignored.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 97%

Formation of InAs nanoclusters in silicon by high-dose ion implantation: Experimental data and simulation results

et al. 2015

View full text Add to dashboard Cite

A physicomathematical model and dedicated software are developed for simulating high dose implantation of two types of atoms to form InAs nanoclusters in a silicon matrix. The model is based on solv ing a set of convection-diffusion-reaction equations. The synthesis of InAs nanoclusters produced by high dose implantation of As + and In + ions into crystalline silicon is numerically simulated. Using the methods of transmission electron microscopy and Raman scattering, it is found that InAs nanoclusters are crystalline and have a mean diameter of 7 nm. After As implantation (170 keV, 3.2 × 10 16 cm -2 ) and In implantation (250 keV, 2.8 × 10 16 cm -2 ) into silicon at 500°C, the nanoclusters are distributed with a density of 2.87 × 10 11 cm -2 . From experimental data and theoretical results, the coefficients of radiation stimulated diffusion of In and As in silicon, as well as the fraction of the implant in the bound state (i.e., entering into InAs nan oclusters), are determined. Experimental data are compared with simulation results.

show abstract

“…Our calculations with the BEAM2HD program package [30] show that during the aggregate implanta ∂N As ∂t ∂j As ∂z f As z t , ( ). (5) and (13) can be ignored.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 97%

Formation of InAs nanoclusters in silicon by high-dose ion implantation: Experimental data and simulation results

et al. 2015

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Next, the coatings were annealed in an argon atmosphere at 773 K for 15 min.. Calculations of the ion irradiation parameters, concentration profiles of implanted helium, elastically released energy and vacancies were conducted using the Monte-Carlo method and the SRIM 2011 software [4,5]. The elemental composition of coatings before and after irradiation with He + ions was monitored by the X-ray spectral microanalysis (RSMA) performed on a special attachment to the Hitachi SU3400 scanning electron microscope.…”

Section: Methodsmentioning

confidence: 99%

Effects of Nitrogen Selective Sputtering and Flaking of Nanostructured Coating TiN, TiAlN, TiAlYN, TiCrN, (TiHfZrVNb)N under Helium Ion Irradiation

Konstantinov

Комаров

2019

Acta Phys. Pol. A

View full text Add to dashboard Cite

Modelling of parameters of high-fluence ion irradiation of nanostructured TiN, TiAlN, TiAlYN, TiCrN, (Ti-HfZrVNb)N coatings by the Monte-Carlo method was carried out. The obtained results and proposed mechanisms of processes were experimentally proved in studying the structure of the coatings after irradiation with 500 keV He + ions in the fluence range from 5 × 10 16 ion/cm 2 to 3 × 10 17 ion/cm 2. The effect of depth localization of the maximum concentration of implanted helium on nitrogen selective sputtering from coatings as well as on partial flaking (exfoliation) of coatings was observed for the ion fluences higher than 2 × 10 17 ion/cm 2. No phase segregation of the solid solution as the main phase in the nanostructured coatings was found after the ion irradiation. No smarco-or microblistering of the coatings after ion irradiation was found, at least to a blister size approximating the nanoscale.

show abstract

“…2 приведены спектры РОР для системы SiO 2 /Si:Se + после ИЛО при однократном (a) и трехкратном (b) воздействии лазерного импульса плотностью энергии 2 J/cm 2 . Как показывают результаты расчета, в исходном имплантированном образце концентрационный профиль характеризуется полочкообразным распределением с концентрацией на уровне 1.15 • 10 21 at./cm 3 на глубинах 50−220 nm с резким спадом концентрации на глубинах d > 250 nm [22]. После ИЛО наблюдается перераспределение атомов примеси на глубины d > 400 nm с резким экспоненциальным спадом концентрации.…”

Section: элементный состав и структураunclassified

Влияние Режимов Импульсного Лазерного Отжига На Оптические Свойства Кремния, Гипердопированного Селеном

Комаров¹,

Пархоменко²,

Milchanin³

et al. 2021

Оптика И Спектроскопия

View full text Add to dashboard Cite

Слои кремния, легированные селеном до концентраций 4-6· 1020 cm-3, что на 4 порядка величины превышает предел равновесной растворимости этой примеси, получены ионной имплантацией с последующим импульсным лазерным отжигом (ИЛО) при плотностях энергии в импульсе W=0.55, 0.8, 1.0, 1.5, 2.0 и 2.5 J/cm2. Методом обратного резерфордовского рассеяния ионов гелия показано, что до 60-70% внедренной примеси находится в позиции замещения в решетке кремния. Слои, гипердопированные селеном, проявляют существенное поглощение (36-40%) в области длин волн 1100-2400 nm. Проведено сравнение спектров поглощения слоев кремния в зависимости от режимов лазерного отжига. Показано, что отжиг при W=2.0 J/cm2 является оптимальным с позиции максимального структурного совершенства гипердопированных слоев кремния. Данный фактор очень важен для применений сформированных структур в фотодетекторах и элементах солнечной энергетики. В то же время поглощение в видимом и ближнем ИК диапазонах длин волн достигает максимального значения после отжига при W=1.0 J/cm2 и практически не меняется при дальнейшем увеличении плотности энергии в импульсе. Ключевые слова: кремний, гипердопирование, имплантация селена, лазерный отжиг, примесная подзона, поглощение и отражение света.

show abstract

Simulation of two-beam ion implantation in the multilayer and multicomponent targets

Cited by 17 publications

References 17 publications

Formation of InAs nanoclusters in silicon by high-dose ion implantation: Experimental data and simulation results

Formation of InAs nanoclusters in silicon by high-dose ion implantation: Experimental data and simulation results

Effects of Nitrogen Selective Sputtering and Flaking of Nanostructured Coating TiN, TiAlN, TiAlYN, TiCrN, (TiHfZrVNb)N under Helium Ion Irradiation

Влияние Режимов Импульсного Лазерного Отжига На Оптические Свойства Кремния, Гипердопированного Селеном

Contact Info

Product

Resources

About