Simulation of transverse electron transport in resonant tunneling diode

Abstract

Fast and stable stationary numerical model of electronic transport in resonant-tunneling diode (RTD) was developed. It was derived from the density functional method, applying assumption about the absence of exchange-correlation term. The model correctly describes interaction between quantum and semi-classical regions of RTD. Self-consistence between space charge and potential can be achieved for all relevant RTD structures. The results of modeling were tested for the model structures of RTDs with barrier layers formed of Al x Ga 1-x As and Al x Ga 1-x N. There is a possibility of efficient visualization of modeling results, such as local density of states, potential and electron concentration in active region.

Application program for simulation of charge transfer quantum-sized heterostructures with a graphical interface user

“…Кінцево-різницева схема, що відповідає рівнянню Шредінгера для однодолинної моделі [7] та двох пов'язаних між собою рівнянь Шредінгера в дводолинній моделі [16] є консервативною, отриманою інтегро-інтерполяційним методом [17], клас точності -другий. У поточній версії програмного пакету використана рівномірна просторова сітка; ведеться розробка схеми з автоматичним підбо-ром кроку.…”