1998
DOI: 10.1007/bf03159609
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Silizium — Mikrotechnik für thermische Sensoren

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3

Citation Types

0
0
0
3

Year Published

2006
2006
2010
2010

Publication Types

Select...
2

Relationship

2
0

Authors

Journals

citations
Cited by 2 publications
(3 citation statements)
references
References 3 publications
0
0
0
3
Order By: Relevance
“…Ohne Str€ omung ist das Temperaturprofil rund um den Heizer symmetrisch. Mit aufkommender Str€ omung kommt es zu einer Temperaturprofilverzerrung, die durch zwei hochaufl€ osende Temperatursensoren aus amorphem Germanium in D€ unnfilmtechnologie wahrgenommen wird (Kohl et al, 1998). Der gemessene Temperaturunterschied stellt ein Maß f€ ur die Str€ omungsgeschwindigkeit dar.…”
Section: Sensortechnologieunclassified
“…Ohne Str€ omung ist das Temperaturprofil rund um den Heizer symmetrisch. Mit aufkommender Str€ omung kommt es zu einer Temperaturprofilverzerrung, die durch zwei hochaufl€ osende Temperatursensoren aus amorphem Germanium in D€ unnfilmtechnologie wahrgenommen wird (Kohl et al, 1998). Der gemessene Temperaturunterschied stellt ein Maß f€ ur die Str€ omungsgeschwindigkeit dar.…”
Section: Sensortechnologieunclassified
“…Die verwendete Sensortechnologie besticht vor allem durch die Qualitä t der damit herstellbaren, extrem hochauflö senden, miniaturisierten Temperatursensoren (Kohl et al, 1998), wodurch schon ein Temperaturunterschied von wenigen Kelvin zwischen Membran und Fluid genü gt, um auch sehr geringe Strö mungswerte nachzuweisen (Glaninger et al, 2000). Dieser Aspekt ist besonders fü r die Strö mungsmessung in niedrig siedenden Flü ssigkeiten wichtig.…”
Section: Technologische Grundlagen Des Sensorsunclassified
“…Letzterer besteht aus der kombinierten Siliziumnitrid-SiliziumdioxidPassivierungschicht des blanken Siliziumwafers (typisch 0,5 mm dick), den Dü nnschichtbauelementen (0,1 bis 0,35 mm dick) und der bei niedrigen Temperaturen hergestellten, ca. 0,5 mm dicken Siliziumnitrid-Passivierungsschicht, die mit einem plasmaunterstü tzten CVD (Chemical Vapor Deposition)-Prozess hergestellt wurde (Kohl et al, 1998). Die Membrangesamtstä rke bestimmt die maximal erreichbare Zeitauflö sung bei plö tzlicher € A Anderung der Strö mung (Messung mit konstanter Heizleistung).…”
Section: Technologische Grundlagen Des Sensorsunclassified