Fundamentals of Solar Cells 1983
DOI: 10.1016/b978-0-12-247680-8.50013-x
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Silicon Solar Cells

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“…The contact resistance R C of Mo on p-CIGS thin films was determined using the three-point method described elsewhere [9,10]. Variation of the current through contacts yields the I-V characteris- …”
Section: Methodsmentioning
confidence: 99%
“…The contact resistance R C of Mo on p-CIGS thin films was determined using the three-point method described elsewhere [9,10]. Variation of the current through contacts yields the I-V characteris- …”
Section: Methodsmentioning
confidence: 99%
“…Já na região de absorção fundamental, observaramse variações na aresta de absorção em função da potência. A banda proibida dos filmes foi obtida desta região, utilizandose a Equação A, para o caso de transições diretas, onde: α é o coeficiente de absorção, calculado através da Equação B, c é uma constante, h é a constante de Planck, n é a frequência da radiação e Eg é a energia da banda proibida [17]. Na Equação B, d é a espessura (180 nm) e T é a transmitância do filme (a parcela da absorção referente ao vidro já está excluída deste valor).…”
Section: Otimização Do Processo De Deposição Dos Filmes Finos De Azounclassified
“…It was shown in [96] that between the short-circuit and photocurrent in the point of maximum power the following relations are fulfilled with a good accuracy:…”
Section: Simulationmentioning
confidence: 99%