Sensitive thermosensors on the basis of highly compensated silicon

Abstract

The results of studies and working out and creation of a thermosensor on the basis of highly compensated silicon doped with Mn and S are presented in this work. It is stated that the thermosensitivity and the stability of the parameters of the worked out thermosensor are higher than those of the existing sensitive thermosensor. It is stated that the thermosensor on the basis of highly compensated silicon doped with manganese Si 〈 B,Mn 〉 more effectively functions in the region of temperatures T = 100-400 K, and the thermosensor on the basis of Si 〈 B,S 〉 can be successfully used in the region of more high temperatures T = 200-450 ° C.

Ограничение Точности Измерения Температуры Полупроводниковыми Датчиками В Зависимости От Коэффициента Стабилизации Рабочего Тока

“…В том числе в Узбекистане ведутся работы по разработке термодатчиков в виде кремниевых терморезисторов с компенсированной базовой областью: с применением диффузионной технологии путем легирования примесями переходных металлов (марганец, никель и др.) [6] и путем терморадиационного легирования кремния [7]. Кроме того, на основе интегральных схем на комплементарных транзисторах, состоящих из нескольких десятков транзисторов, предложен ряд термодатчиков, способных осуществлять мониторинг температуры различных объектов [8,9], в частности, выпускающиеся АО «FOTON» микросхемы К1019ЕМ1, представляющие собой термочувствительный элемент с линейной зависимостью выходного напряжения от температуры и содержащие 28 интегральных элементов.…”