Segregation and diffusion on semiconductor surfaces

Oblique roughness replication in strained SiGe/Si multilayers

“…25 In the following, we will concentrate on the results obtained on a ten period multi-quantum-well sample of nominally 30 Å Si 0.7 Ge 0.3 and 151 Å Si on a nominally ͑001͒-oriented Si substrate. The multi-quantum well was capped with nominally 270 Å Si.…”

Kinetics of Dopant Accumulation in the Adsorption Layer During Molecular-Beam Epitaxy

“…В десорбционном режиме ширина ПКО увеличивается про-порционально скорости роста (по-току атомов основного вещества) F [8]. При относительно низких температурах, когда десорбци-ей примеси можно пренебречь, ∆ уменьшается с увеличением F [3,9], в частности при легировании кремния (поверхность (100)) фос-фором и сурьмой ∆ ∼ F −1/2 [10].…”

“…Накопление примеси в адсорбционном слое в ре-зультате перескоков адсорбированных атомов (далее адатомов) примеси, плохо встраивающихся в кри-сталл, через движущиеся ступени рассматривали в работах [10,[16][17][18]. Разработанные на основе данного подхода модели воспроизводят переход от режима равновесной сегрегации примеси к десорбционному режиму и зависимость ширины ПКО от скорости роста при низкотемпературном легировании.…”

“…Однако этот эффект существен лишь в случае медленной поверхностной диффузии примеси. Резкую (суперэкспоненциаль-ную) зависимость ∆(T), характерную для легирова-ния кремния сурьмой [3,6,7], нельзя описать в рам-ках моделей, предложенных в работах [10,[16][17][18].…”

Kinetic Modeling Of Dopant And Impurity Surface Segregation During Vapor Phase Growth: Multiple Mechanism Approach

“…In response to the shortcomings of the terrace exchange models, models were developed based on exchange events occurring primarily at the step edges [11,12]. The behavior at lower temperatures was well described by these models, but they did not predict the transition to equilibrium segregation at the higher temperatures.…”