Réalisation et caractérisation d'un transistor à effet de champ JFET au GaAs en vue de son intégration avec une photodiode

Abstract

2014 Un transistor à effet de champ JFET est fabriqué à partir d'un substrat de GaAs à l'aide de l'épitaxie en phase liquide. La structure comprend deux couches épitaxiées, une zone de GaAs de type n pour le canal et une région Ga0,6Al0,4As de type p forme la grille. Un des avantages du dispositif est que le processus de fabrication nécessite seulement quelques opérations. La conception et la technologie de fabrication du composant ainsi que les caractéristiques courant-tension sont décrites. Nous avons obtenu des valeurs de la transconductance égales ou supérieures à 12 mA/V. Le transistor a montré une tension de seuil de -4,6 V et une mobilité des électrons dans le canal atteignant 3 850 cm2/V.s. Les résultats obtenus à l'aide du dispositif précédent seront étendus à la fabrication du circuit intégré GaAlAs-GaAs associant une photodiode à un TEC.

Design and realization of a GaAs FET integrated with a heterojunction photodiode

“…Definition of the ohmic contacts either over the N or P types, is through the standard lift-off technique avoiding further degradation of the surface [7].…”