A series of six energy levels is found a t energy distances 2.5, 3.8, 4.7, 6.1, 7.0, and 8.3 meV on the high energy side of the neutral-acceptor bound exciton I, in CdS. They appear in the emission and absorption spectra of some freshly grownvirgin crystals andof some crystals damaged by laser-irradistion. Resonance Raman scattering (RRS) establishes the new levelsas intermediate states inevery high quality crystal. These levels are interpreted as excited states of the bound exciton I,. The direct radiative recombination is forbidden due to parity selection rules. These selection rules are removed in symmetry disturbed crystals, a t high excitation intensities, or by recombination with phonon participation. In consequence they are detected as forbidden luminescence, as LO phonon replica, or as 1-LO-and 2-LO-Raman lines.The2-LO scattering cross section of the energy region of bound excitons in CdS is determined. Auf der hochenergetischen Seite des an einen neutralen Akzeptor gebundenen Exzitons I, in CdS werden sechs neue Zustande in einem energetischen Abstand von 2,5; 3,8; 4,7; 6,l; 7,O und 8,3 meV zur I, gefunden. Sie erscheinen sowohl in Emissions-als auch in Absorptionsspektren von einigen frisch geziichteten und einigen durch Laserbestrahlung stark geschadigten CdS-Kristallen. Resonante Ramen-Streuung erzeugt diese neuen Niveaus als Zwischenzustiinde in beliebigen, ungestiirten CdS-Kristallen. Sie werden interpretiert als angeregte Zustande des gebundenen Exzitons I,. Der strahlende Zerfall des Exzitons in diesen Zustiinden ist aufgrund von Paritatsauswahlregeln verboten. Diese Auswahlregeln werden aufgehoben in symmetriegestorten Kristallen, durch hohe Anregungsintensitaten und durch Phononenbeteiligung. Daher werden die Niveans sichtbar als verbotene Lumineszenz sowie als LO-Phononenreplika bzw. 1-LOund 2-LO-Ramanlinien. I m Energiebereich der gebundenen Exzitonen in CdS werden die 2-LO Ramanstreuquerschnitte bestimmt. l ) StraRe des 17. Jnni 112, 1000 Berlin (West) 12.