“…La question importante est la nature de cette zone centrale. I1 ne semble pas que les ttudes faites jusqu'h maintenant permettent de conclure : Gonser et Okkerse[32] tirent d'observations par rayons X la conclusion que les zones disordonnCes, formCes par irradiation de deutCronsde 12 MeV dans I'arsCniure de gallium et l'antimoniure d'indium, ne sont plus cristallines ; l'observation par microscopie Clectronique de zones implantCes par des ions [33], [34] semble aussi indiquer la prksence de zones (( amorphes )> mais, meme dans le cas d'implantation PRODUCTION DES DEFAUTS PAR IRRADIATION DANS LES SEMICONDUCTEURS C5-53 B basse temptrature, la partie (( amorphe )) de la zone dCsordonnCe reste toujours tr&s faible ; par contre, aussi bien des mesures microscopiques comme la rCsonance paramagnktique Clectronique (RPE) [34] et l'absorption infrarouge [29] (parce qu'elles permettent de conclure 2 la prCsence de dtfauts ponctuels) que des observations macroscopiques comme celles utilisant les rayons X [35] ou la rnicroscopie Clectronique [36] semblent indiquer que, lors d'irradiation par des neutrons rapides, les zones centrales restent cristallines dans le germanium et le silicium. 2.6 Lorsque la dose d'irradiation augmente, le nombre des r6gions dCsordonntes croit jusqu'8 ce qu'il y ait recouvrement ; une couche dCsordonnCe, regulitre, est alors formCe.…”