Production Des Défauts Par Irradiation Dans Les Semi-Conducteurs

Abstract

Resume.-Les differentes Btapes qui gouvernent la production des defauts sont decrites. L'accent est place sur les problkmes non encore resolus tels que la determination de l'energie du seuil de deplacement, la mobilite des interstitiels a basse temperature, la nature des defauts dans les zones trks fortement d6sordonnCes. Des mecanismes de type Blectronique susceptibles d'induire ou d'accelkrer la mobilite de defauts de type interstitiel ou lacunaire sont proposes et discutes.