Radiation and Reliability Characterization of a Multiplexer Family Using a 0.35µm Triple-Well CMOS Technology

Wilson, Anthony L.; Kerwin, David B.; Richardson, T.; Ton, Q.; Merkel, Kenneth G.; Koziuk, G.; Hafer, C.

doi:10.1109/redw.2010.6062537

Cited by 4 publications

(2 citation statements)

References 2 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…В работах [5,6] показано, что влияние n iso -кармана на возникновение защелки зависит от области (анод/катод), в которую инжектируются генерируемые носители. В работах [7,8] указано, что структура с n iso -карманом более устойчива к защелке из-за снижения сопротивления n iso -кармана и, как следствие, более быстрого сбора электронов, что препятствует включению паразитных биполярных транзисторов. Отметим, что в работах [3,8] отсутствует моделирование исследуемых структур при разных расстояниях L pn и L w .…”

Section: Parmenov@mailruunclassified

“…В работах [7,8] указано, что структура с n iso -карманом более устойчива к защелке из-за снижения сопротивления n iso -кармана и, как следствие, более быстрого сбора электронов, что препятствует включению паразитных биполярных транзисторов. Отметим, что в работах [3,8] отсутствует моделирование исследуемых структур при разных расстояниях L pn и L w . В работах [9,10] представлены результаты моделирования структуры с n iso -карманом.…”

Section: Parmenov@mailruunclassified

See 1 more Smart Citation

Sensitivity to Thyristor Effect of CMOS Structure with Deep Insulat-ing N-Well

Panyshev¹,

Parmenov²

2017

PofUE

View full text Add to dashboard Cite

При производстве радиационно стойкой электронной компонентной базы необходимо уделять особое внимание одиночным эффектам ввиду постоянно увеличивающейся плотности элементов на микросхеме.Исследовано влияние внедренного в 90-нм объемную КМОПструктуру глубокого изолирующего n-кармана на устойчивость к тиристорному эффекту, вызванному воздействием тяжелых заряженных частиц. Рассмотрена целесообразность использования такой технологии при разработке конструкции ячейки памяти, которая обеспечивает исключение тиристорного защелкивания и имеет минимальную площадь. Проанализировано влияние глубокого n-кармана на минимальное расстояние от истока транзистора до контакта к карману, при котором защелка гарантированно образуется. Установлено, что при малом расстоянии, равном 0,12 мкм, между n-и p-канальными транзисторами изоляция p-кармана не дает ожидаемого эффекта с точки зрения формирования паразитной тиристорной структуры, поскольку ток в данном случае протекает в приповерхностной области под мелкой щелевой изоляцией и слабо зависит от ширины базы p-n-p-транзистора. Показано, что при попадании частицы в истоковую область n-канального транзистора изоляция p-кармана может оказывать негативное влияние на чувствительность объемной КМОПструктуры к тиристорному эффекту. При этом пороговое расстояние между истоком и контактом к карману в структуре с глубоким карманом примерно на 0,6 мкм ниже, чем в стандартной структуре.Рассмотренную структуру с глубоким n-карманом не рекомендуется использовать в радиационно стойкой электронной компонентной базе для подавления тиристорной защелки.Ключевые слова: радиационная стойкость; тяжелые заряженные частицы; эффект защелки; глубокий изолирующий n-карман; Sentaurus TCAD.Для цитирования: Панышев К.А., Парменов Ю.А. Чувствительность к тиристорному эффекту КМОП-структуры с глубоким изолирующим n-карманом //

show abstract