Properties of AlN grown by plasma enhanced atomic layer deposition

Structural and chemical analysis of annealed plasma-enhanced atomic layer deposition aluminum nitride films

“…11 More recently, plasmaenhanced atomic layer deposition (PEALD) has been demonstrated as an alternative method for AlN deposition. [12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22] The AlN process is also available for thermal ALD but in that case the source material selection is limited and above 400 C deposition temperatures are required. 15 In contrast, the attractive properties of PEALD films include low temperature processing (typically below 300 C), thus increasing the choice of precursors and materials, enabling tunable material properties, and still allowing the typical ALD thickness control below 1 nm accuracy.…”

Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения

“…Методами плазмо-активированного атомно-слоевого осаждения (PEALD) выращиваются аморфные или поликристаллические пленки нитрида алюминия [11][12][13][14][15][16]. При этом в литературе имеются противоречивые данные о темпера-турах начала роста кристаллических пленок.…”

“…При этом в литературе имеются противоречивые данные о темпера-турах начала роста кристаллических пленок. Так, в [12] выдвинуто предположение, что кристаллические пленки можно вырастить только при температурах (T ) более 300…”

Low‐temperature hollow cathode plasma‐assisted atomic layer deposition of crystalline III‐nitride thin films and nanostructures

“…Although thermal ALD (or atomic layer epitaxy, ALE) of III-nitride thin films, especially AlN, using various types of group-III precursors has been the focus of interest in the 1990s, current trend in the field of III-nitride ALD research is directed towards UV-, hot-wire-or plasmaassisted processes using metalorganic precursors [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11]. Recently, we showed that ALD-grown III-nitride thin films may suffer from plasma-related oxygen contamination depending on the choice of N-containing plasma gas (N 2 , N 2 /H 2 or NH 3 ) [12,13].…”