DOI: 10.11606/d.3.2020.tde-21092020-144559
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Projeto de aplicação de amplificadores operacionais de transcondutância baseados no comportamento experimental de line-TFETs.

Abstract: Av Ganho intrínseco de tensão [V/V; dB] Ad Ganho diferencial de tensão de malha aberta [V/V; dB] Av' Ganho de tensão de malha fechada [V/V; dB] Avcm Ganho de modo comum [dB] B Fator exponencial de tunelamento [V/cm] Cc Capacitância de compensação [F] Cd Capacitância de depleção [F/µm 2 ] Cgd Capacitância entre porta e dreno [F/µm 2 ] Cgs Capacitância entre porta e fonte [F/µm 2 ] Ci Capacitância de entrada [F] CL Capacitância de linha [F] Cn Capacitância de feedback [F] Cox Capacitância do óxido de porta [F/µm… Show more

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