Preparation and characterization of thin films of electrodeposited CdTe semiconductors

Caracterização da eletrodeposição de filmes finos de CdTe sobre Pt em meio ácido

“…Também, a comparação dos padrões mostrados nas Figuras 7 a 11 com a microficha JCPDS 03-065-0440 permitiu concluir que os filmes de CdTe depositados sobre Pt tendem crescimento na orientação preferencial no plano (222). O CdTe apresentou pico de maior intensidade no plano (220), demonstrando um possível crescimento preferencial nessa posição, e demais pi-cos nos planos (200), (311), (622) e (640), também observados na literatura, correspondendo a fase cúbica do CdTe [1,11,17]. O substrato, platina, apresentou picos nos planos (220), (311) e (222).…”

“…O CdTe é um semicondutor do grupo II-VI que apresenta um band gap de banda direta de 1,5 eV e um alto coeficiente de absorção, maior que 10-4 cm-1 [1,2], é o único semicondutor do seu grupo que pode apresentar condutividade tipo n ou tipo p alterando apenas os seus parâmetros de crescimento [3]. O cristal de CdTe tem sido crescido em uma variedade de técnicas [4][5][6], como a sublimação de espaço reduzido, deposição por transporte de vapores, deposição por vapores físicos, pulverização catódica, eletrodeposição, deposição quí-mica a vapor de organometálicos, pirolise com spray e filme espesso [2,7,11] , a qual vem se destacando é a eletrodeposição [7][8][9][10][11][12][13], técnica que apresenta um baixo custo e grande eficiência além da facilidade de controle dos parâmetros envolvidos no processo e na obtenção do semicondutor [2,3]. Levando em consideração essas características, este trabalho tem como objetivo avaliar a deposição do filme fino de CdTe sobre substrato de platina, para este feito foi realizando um estudo através da técnica de voltametria cíclica alterando a solução de estudo (eletrólito), utilizando soluções com espécies ativas de Cd e Te.…”

Propriedades óticas e microestruturais de filmes finos eletrodepositados de CdTe

“…O parâmetro de rede, obtido pelo método de extrapolação linear [20], é 6,48 Å e está de acordo com o valor reportado para o cristal de CdTe (base de dados JCPDS 15-770). Uma comparação dos padrões mostrados na Figura 1 com o padrão do JCPDS do pó permitiu concluir que o filme depositado a -300 mV cresceu com orientação preferencial na direção [111], resultado também observado por outros autores [12]. O crescimento preferencial nesta direção é típico de filmes de CdTe crescidos à temperatura ambiente, devido a ser este o plano de mais baixa energia superficial nesta estrutura.…”

“…Observa-se que o aumento no potencial de deposição levou a maiores taxas de deposição, devido ao incremento da corrente durante o processo de transferência de cargas na eletrólise. Os filmes cresceram ricos em telúrio, cujo percentual diminuiu para maiores potenciais de deposição, conforme também relatado na literatura [12]. Sabe-se que o excesso de telúrio contribui para a condutividade tipo p [15].…”

“…Os filmes finos de CdTe podem ser fabricados por diversas técnicas [5][6][7], dentre elas a eletrodeposição [8][9][10][11][12][13][14], uma técnica de baixo custo quando comparada aos demais processos de crescimento de filmes. Além disso, a técnica não exige equipamentos de vácuo, não envolve altas temperaturas e é facilmente adaptada para produção em larga escala.…”