Plasma Electric Potential and Geodesic Acoustic Mode Evolution in Ohmic and Ecrh Regimes With Pulsed Impurity Puffing on the T-10 Tokamak

Abstract

Эволюция электрического потенциала и геодезических акустических мод в омических и ЭЦР-режимах … ВАНТ. Сер. Термоядерный синтез, 2016, т. 39, вып. 3 91 Качественно сравниваются геодезические акустические моды (ГАМ) и эволюция среднего уровня электрического потенциала плазмы в токамаке Т-10 в режимах с импульсным (5 мс) напуском различных примесей (гелия, азота и неона). Показано, что напуск примеси меняет уровень потенциала. Также показано, что напуск примеси сильно влияет на ГАМ, резко снижая её амплитуду и снижая частоту. Это влияние продолжается в течение примерно 50 мс, затем амплитуда и частота ГАМ выходят на новый стационарный уровень. Приведены сравнения параметров ГАМ с основными плазменными параметрами и уровнем флуктуаций электронной плотности. Рассмотрена эволюция частоты ГАМ в сравнении с теоретически ожидаемой зависимостью для частоты локальных ГАМ с локальными значениями температуры на периферии.Ключевые слова: токамак, Т-10, ГАМ, зондирование плазмы пучком тяжёлых ионов.The geodesic acoustic mode (GAM) and the evolution of the average level of the electrostatic plasma potential in the T-10 tokamak in the regime with short (5 ms) impurity puffing are considered in this work. Plasma potential and GAM evolution are compared qualitatively at helium, nitrogen and neon impurities puffing. It was shown that impurity puffing changes the average plasma potential level. It was also shown that impurity puffing strongly affects GAM properties, reducing its amplitude sharply and decreasing its frequency. This effect lasts for about 50 ms, and then the amplitude and frequency of GAM reaches a new stationary level. The GAM parameters are compared with the evolution of the basic plasma parameters and the turbulence level of electron density. The GAM frequency evolution was considered versus theoretical dependence for local GAM taking into account peripheral temperatures.