Physical Properties of Sm<mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mi mathvariant="normal">B</mml:mi></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>6</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>

Nickerson, J. Charles; White, Robert M.; Lee, K. N.; Bachmann, Rainer; Geballe, T. H.; Hull, G. W.

doi:10.1103/physrevb.3.2030

Cited by 277 publications

(141 citation statements)

References 16 publications

Supporting

Mentioning

126

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…1. The ambient pressure magnitude of the activation gap is 40 K, similar to that found in a variety of previous transport and spectroscopic studies of SmB6 [4][5][6][7] but much smaller than that reported in a recent infrared transmission experiment [8].…”

Section: Resultssupporting

confidence: 69%

High pressure insulator-metal transition in SmB6

Cooley

Aronson

Fisk

et al. 1994

Physica B: Condensed Matter

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Section: Resultssupporting

confidence: 69%

High pressure insulator-metal transition in SmB6

Cooley

Aronson

Fisk

et al. 1994

Physica B: Condensed Matter

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…The scattering rate has almost completely saturated for temperatures below 10 K. This temperature is considerably lower than the temperature at which the bulk hybridization gap is first observed [2]. Therefore, we argue that the formation of the Fermi-liquid that is responsible for the surface conduction should only occur at very low temperatures and may be responsible for the plateau in the resistivity at 4 K [7,8].…”

Section: Discussionmentioning

confidence: 73%

Effects of spin excitons on the surface states of SmB6 : A photoemission study

et al. 2016

View full text Add to dashboard Cite

We present the results of high-resolution valence-band photoemission spectroscopic study of SmB6 which shows evidence for a V-shaped density of states of surface origin within the bulk gap. The spectroscopy data is interpreted in terms of the existence of heavy 4f surface states, which may be useful in resolving the controversy concerning the disparate surface Fermi-surface velocities observed in experiments. Most importantly, we 1 find that the temperature dependence of the valence-band spectrum indicates that a small feature appears at a binding energy of about -9 meV at low temperatures. We attribute this feature to a resonance caused by the spin-exciton scattering in SmB6 which destroys the protection of surface states due to time-reversal invariance and spin-momentum locking. The existence of a low-energy spin-exciton may be responsible for the scattering which suppresses the formation of coherent surface quasi-particles and the appearance of the saturation of the resistivity to temperatures much lower than the coherence temperature associated with the opening of the bulk gap.

show abstract

“…1, наблюдались и ранее во многих углеродных и неуглеродных объек-тах. Например, в пиролитических графитах [8], Yb при фазовом переходе полуметалл−полупроводник (под дав-лением) [13], SmB 6 [14], ультратонких сверхпроводящих гранулированных пленках Pb на SiO 2 при их толщинах свыше 35 ¦ [15], тонких (60−80 nm) пленках аморфного углерода на подложках из n-Si [3], высокопористом биоуглероде карбонизированного дерева бука [16] и т. д. Поскольку объекты самые разные, различны и механиз-мы переноса заряда, обеспечивающие характерный вид зависимостей ρ(T ). Так, в Yb эти механизмы обуслов-лены зонной структурой (незаполненными d-состояния-ми), а в SmB 6 , например, они связаны с металлической проводимостью в примесной полосе, образованной ва-кансиями Sm.…”

Section: обсуждение результатовunclassified

Процессы Переноса Заряда В Углеродных Композитах На Основе Фуллеренов И Терморасширенного Графита

Берёзкин¹

2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Исследованы кинетические процессы в композиционных материалах на основе фуллеренов и терморасширенного графита при исходных соотношениях компонентов от 1 : 16 до 16 : 1 по массе. Образцы получены путем термообработки в вакууме в диффузионно-адсорбционном процессе исходных дисперсных смесей, их дальнейшего холодного прессования и отжига. Показано, что последний практически не влияет на механизмы проводимости, а лишь создает дополнительные дефекты структуры, действующие как электронные ловушки. В целом полученные результаты при использованных соотношениях компонентов позволяют отнести материал к компенсированной металлической системе со структурным беспорядком, в которой перенос заряда при температурах от 4.2 K до комнатной управляется квантовыми интерференционными явлениями. В области низких температур проявляются эффекты слабой локализации, а в области средних и высоких температур --- электрон-электронные взаимодействия. DOI: 10.21883/FTT.2017.07.44611.424

show abstract

Physical Properties of SmB6

Cited by 277 publications

References 16 publications

High pressure insulator-metal transition in SmB6

High pressure insulator-metal transition in SmB6

Effects of spin excitons on the surface states of SmB6 : A photoemission study

Процессы Переноса Заряда В Углеродных Композитах На Основе Фуллеренов И Терморасширенного Графита

Contact Info

Product

Resources

About