Photonic bandgap materials and birefringent layers based on anisotropically nanostructured silicon

Влияние Свободных Носителей Заряда На Двулучепреломление И Дихроизм В Слоях Анизотропного Пористого Кремния

“…В частности, кремний с анизо-тропной системой пор [4][5][6] обладает двулучепреломле-нием, которое может варьироваться в широком диапа-зоне при изменении пористости и диэлектрической про-ницаемости вещества, заполняющего поры [5,6]. Это мо-жет быть использовано, например, в нелинейной оптике для фазового согласования процесса генерации второй гармоники [2,6], а также в оптоэлектронике для создания устройств переключения света [7].…”

“…В частности, кремний с анизо-тропной системой пор [4][5][6] обладает двулучепреломле-нием, которое может варьироваться в широком диапа-зоне при изменении пористости и диэлектрической про-ницаемости вещества, заполняющего поры [5,6]. Это мо-жет быть использовано, например, в нелинейной оптике для фазового согласования процесса генерации второй гармоники [2,6], а также в оптоэлектронике для создания устройств переключения света [7]. Благодаря развитой внутренней поверхности por-Si и чувствительности его электронных и оптических свойств к диэлектрической проницаемости окружающей среды данный материал может быть использован в газовых сенсорах, включая устройства с оптическим детектированием [7][8][9].…”

“…Несмотря на значительное количество работ по ис-следованию двулучепреломления и дихроизма в анизо-тропных образцах por-Si [2,[4][5][6], детального исследо-вания влияния концентрации носителей заряда на их оптическую анизотропию не проводилось. В настоящей работе представлены результаты экспериментального и теоретического исследования оптических свойств анизо-тропных слоев por-Si, выращенных на сильнолегирован-ных пластинах c-Si с различным уровнем легирования и ориентацией поверхности (110), которые указывают на сильную зависимость двулучепреломления и дихроизма в инфракрасной (ИК) области спектра от концентрации свободных носителей заряда.…”

Impedance spectroscopy of in‐plane anisotropic porous silicon films

“…The most of the studies of birefringent PS were devoted to the linear [3,4] and non-linear [5] optical properties of this material as well as to its possible applications in sensors [6] and photonic devices [7]. Recently it was established the strong anisotropy of the DC conductivity and photoconductivity in birefringent PS films [8].…”

Strong anisotropy of lateral electrical transport in (110) porous silicon films

“…The difference of the refractive indices for light polarized along the ] 0 1 1 [ and ] 001 [ crystallographic directions was explained by the form anisotropy of Si nanocrystals assembling PS [2]. Most of the previous studies have been focused on linear [1,2] and non-linear [3] optical properties and applications of this material in sensors [1,4] and photonic devices [3,5]. On the other hand, one can expect the similar or even stronger anisotropy of the lateral electrical transport in (110) PS layers, since both the effective dielectric function of an ensemble of nonspherical Si nanocrystals and the potential barriers between them should be dependent on crystallographic directions.…”