Photoelectrical properties of TlBr related to ionic transport and presence of defects

Электрически Активные Состояния Захвата И Переноса Заряда, Обусловливающие Медленную Рекомбинацию В Кристаллах Бромида Таллия При Низких Температурах

“…Однако темновой ток уменьшается экспоненциально с уменьшением темпе-ратуры, а энергия тепловой активации этого процесса ∼ (0.78−0.8) эВ [13]. Поэтому при низких температу-рах эффект фотопроводимости заметно возрастает, что позволяет идентифицировать уровни дефектов в зави-симости от предыстории образца, т. е. его возбуждения светом и(или) напряжением [13].…”

“…При аппроксимации экспериментальных спектров были получены следующие оценки энергии фотоионизации: 0.55, 0.83, 1.1, 1.32 и 1.65 эВ. Пере-зарядка ловушки с энергией активации 1.65 эВ может индуцировать изменения подвижности носителей, как это наблюдалось в работе [13].…”

“…Влияние уровней с энергиями 1.32 и 1.65 эВ уменьшалось, если образцы выдерживались под напряжением в течение нескольких часов [13]. Аналогичная сложная структура дефектов была обна-ружена и в спектах фотолюминесценции (ФЛ) [18,19].…”

“…В TlBr, как и во всех полупроводниковых материалах с высоким удельным сопротивлением, явления генера-ции и переноса носителей существенно изменяются с температурой и при возбуждении светом, что позволяет выявлять эффекты, связанные с уровнями дефектов и неоднородностями кристаллов [11][12][13]. Поэтому нашей задачей было исследование (фото-) проводимости TlBr в области температур ниже комнатной до темпера-туры жидкого азота.…”

“…Поэтому нашей задачей было исследование (фото-) проводимости TlBr в области температур ниже комнатной до темпера-туры жидкого азота. Так как при температурах ни-же 240 K ионная проводимость TlBr становится пре-небрежимо малой [13], такие условия являются наибо-лее подходящими для анализа электронного переноса заряда.…”