Persistent photocurrent and defects in TlBr

Abstract

We had observed the persistent photoconductivity in TlBr. The long lasting current relaxations took place after the band-to-band light excitation at the temperatures below about 200 K. It was demonstrated by the thermally stimulated current method that this phenomenon is related to the trapping states with the thermal activation energy of 0.08 -0.12 eV. Moreover, upon filling of the traps the enhanced photoconductivity was induced that could be thermally quenched above about 180 K. The quenching of the photoconductivity is initiated by the emptying of the trapping states with the activation energy of 0.63 -0.65 eV.Keywords: TlBr / persistent photocurrent / enhanced photoconductivity / defects / traps / Es wurde eine persistente Photoleitfähigkeit in TlBr beobachtet. Die langzeitigen Strom-Relaxationen fanden auch nach der Band-zu-Band Lichtanregung bei Temperaturen unter 200 K statt. Bei der Anwendung der Methode des thermisch stimulierten Stroms wurde gezeigt, dass dieser Effekt durch Zustände mit thermischen Aktivierungsenergien von 0.08 -0.12 eV verursacht werdenkönnte. Darüber hinaus führte eine Füllung dieser Zustände zu der erhöhten Photoleitfähig-keit. Dieser Zustand konnte bei Temperaturen über 180 K thermisch gelöscht werden. Die Lö-schung der Photoleitfähigkeit erfolgte bei der Entleerung der Zustände mit Aktivierungsenergien von 0.63 -0.65 eV.