Optimized flip-chip interconnect for 38 GHz thin-film microstrip multichip modules

In this paper, novel multiport RF microelectromechanical systems (MEMS) switches such as single-pole three-throw (SP3T) and C-type switches are investigated. These switches are good candidates for signal routing and redundancy-switch matrix applications. Initially, the PolyMUMPs process was used to fabricate the electrostatic switches. Then, to avoid extensive loss of the silicon substrate, the switches were assembled on an alumina substrate using flip chip technology. The SP3T switch is a compact (500 × 500 µm 2 ) coplanar series switch that maintains an isolation of 30 dB, a return loss of less than −20 dB, and an insertion loss of less than 0.5 dB up to 20 GHz. The C-type switch contains two different operational states. The presented measurements for each state show an insertion loss of less than 1 dB and a return loss of less than −15 dB for frequencies up to 15 GHz. The switch maintains an isolation greater than 20 dB throughout the frequency band of interest.Dans cet article, onétudie des nouveaux commutateurs multi-port RFà systèmes micro-électro-mécaniques (MEMS) tels que les commutateurs SP3T et C-type. Les commutateurs sont des bons candidats pour des applications de cheminement de signal ou des matrices de commutation redondante. Le processus polyMUMPs aété utilisé initialement pour la fabrication des commutateursélectrostatiques. Alors, pouréviter une perte du substrat de silicium, les commutateurs ontété assemblés sur un substrat d'alumine en utilisant une technologie flip chip. Le commutateur SP3T est un commutateur série coplanaire compact (500 × 500µm 2 ) qui maintient une isolation de 30 dB, une perte de retour inférieureà −20 dB et une perte d'insertion inférieurè a 0.5 dB pour des fréquences allant jusqu'à 20 GHz. Le commutateur C-type contient deuxétats opérationnels différents. Les mesures présentées pour chaqueétat montrent une perte d'insertion inférieureà 1 dB et une perte de retour inférieureà −15 dB pour des fréquences allant jusqu'à 15 GHz. Les commutateurs maintiennent une isolation supérieureà 20 dB dans la bande de fréquence d'intérêt.

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Optimized flip-chip interconnect for 38 GHz thin-film microstrip multichip modules

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Characterization of bump arrays at RF/microwave frequencies

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Hybrid integration of RF MEMS multiport switches

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