Optical properties of Tm-doped GaSe single crystals

Kim, Chang‐Dae; Jang, Kiwan; Lee, Yong‐Ill

doi:10.1016/j.ssc.2004.03.041

Cited by 13 publications

(8 citation statements)

References 16 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Tek bir katmanı oluşturan atomlar arası bağlar güçlü kovalent bağı iken katmanlar arası bağlar bu kristalde anizotropinin görülmesine neden olan zayıf Van der Waals bağlarıdır. Katmanlar arası zayıf Van der Waals etkileşimi, katmanların kolaylıkla birbirlerinden ayrılması için kolayca kesilmesine imkân vermektedir [8,[11][12][13][14][15]. Bu özelliklere ek olarak GaSe kristali aynı zamanda yapılarındaki atomlar arası çeşitli etkileşim türlerindeki farklılıklar nedeniyle anizotropik *Sorumlu Yazar (Corresponding Author) e-posta : eakhuseyin@ankara.edu.tr doğrusal olmayan kristaller arasında yer almaktadır [16].…”

Section: Gi̇ri̇ş (Introduction)unclassified

GaSe Yarıiletken Kristallerine Bor Katkılamanın Optik Sınırlama ve İki Foton Soğurma Özellikleri Üzerine Etkileri

Yıldız

2023

Politeknik Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

katkılı GaSe kristalleri dikey Bridgman-Stockbarger yöntemi kullanılarak büyütülmüştür. Yarıiletken kristallerin iki foton soğurma ve optik sınırlama özellikleri açık yarık Z tarama deney düzeneği kullanılarak incelenmiştir. Farklı bor katkılama oranlarında büyütülen GaSe yarıiletken kristaller 1064 nm dalga boyunda ve 4 nanosaniye atma süresinde iki foton soğurma ve optik sınırlama davranışları sergilediği gözlenmiştir. Yarıiletken kristallerin iki foton soğurma özelliklerinin bor katkılama yüzdesiyle arttığı sonucuna ulaşılmıştır. Çalışılan yarıiletken kristallerden %1 bor katkılı GaSe kristalinin, düşük giriş akısı değerinde en iyi optik sınırlama davranışı sergilediği görülmüştür. Yapılan açık yarık Ztarama deney sonuçlarına göre, yarıiletken kristallerin iki foton soğurma ve optik sınırlama özellikleri kristal içerisine yapılan bor atomlarının katkılama yüzdesi ile kontrol edilebilmektedir.Anahtar Kelimeler: Açık yarık z-tarama tekniği, iki foton soğurma, optik sınırlama.

show abstract

Section: Gi̇ri̇ş (Introduction)unclassified

GaSe Yarıiletken Kristallerine Bor Katkılamanın Optik Sınırlama ve İki Foton Soğurma Özellikleri Üzerine Etkileri

Yıldız

2023

Politeknik Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…On the other hand, with the development of graphene and graphene-based materials, − the metal chalcogenides group has gained rapidly growing interest. ,− The metal monochalcogenides labeled MX (M: metal; X: chalcogen atoms) − are one class of this group that has been synthesized and analyzed in both experimental and theoretical studies. ,,− As a typical member of the MX group, GaSe is an emergent candidate due to its excellent performance in nonlinear optics and the generation of electromagnetic waves. To enhance its optical properties, various elements including S, Te, Ag, and Al have been doped on GaSe crystal − suggesting the further optimum growth technique. Meanwhile, the transformation between a trivial and nontrivial topological insulator of GaSe has been found after functionalizing with oxygen, forming the quantum Hall effect.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Fundamental Properties of Hydrogen-Functionalized GaSe Monolayer

2022

View full text Add to dashboard Cite

Functionalization reveals potential opportunities for modifying essential properties and designing materials due to the strong interaction between functionalized atoms and the surface. Among them, hydrogenation possesses such a way to control electronic and optical characteristics. In this paper, the stability and transformed electronic, optical properties of H-functionalized GaSe in two cases (single and double sites) were reported that exhibit the effects of hydrogen functionalization via first-principles calculations. Formation energies suggest that H-functionalized GaSe systems are stable for construction. H-GaSe and 2H-GaSe display distinct properties based on the functionalized way (single- or double-site functionalization). Accordingly, H-GaSe is metallic, while 2H-GaSe belongs to a semiconductor. The magnetic configuration with ferro- and anti-ferromagnetic could be found in H- and 2H-functionalized cases through spin distribution, respectively. Especially, the chemical hybridized bonds of Se–H, Ga–Se, and Ga–Ga corresponding to s-sp 3 and sp 3 -sp 3 bondings, respectively, are clearly verified in the orbital-projected density of states and charge density. The optical properties of 2H-GaSe could provide the main characteristics of a semiconductor, which is the limited range of transparency by electronic absorption at short and long wavelengths. Moreover, increasing the number of GaSe segments ( L ) could change the band gap leading to application in the band gap engineering of the 2H-GaSe systems. Thus, hydrogen functionalization could provide the possible manner for adjusting and controlling features of GaSe, promising for the development of electronic devices and applications.

show abstract

“…Katkılandırma oranı ile kristallerin kırıcılık [13] (refractivity) ve faz eşleme [14] (phase matching) durumları kontrol edilebilmektedir. Sahip olduğu fiziksel ve doğrusal olmayan optik özellikleri geliştirmek amacıyla, GaSe kristalinin içerisine katkılandırma yapılabilecek atomlar oldukça sınırlıdır [14][15][16][17][18][19][20][21][22][23][24]. Doğrusal olmayan soğurma (nonlinear absorption) artan şiddete bağlı olarak iki gruba ayrılabilir.…”

Section: Gi̇ri̇ş (Introduction)unclassified

GaSe Kristali İçerisindeki Katkılandırma Atomlarının Doğrusal Olmayan Soğurma, Ultrahızlı Dinamikler ve İkinci Harmonik Üretimi Davranışlarına Etkisi

Karatay

2020

Politeknik Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

Bu çalışmada dikey Bridgman-Stockbarger yöntemi kullanılarak saf GaSe, %0,1 Ce ve %0,1 Er katkılandırılmış GaSe kristalleri büyütülmüştür. Açık yarık Z-tarama ve ultrahızlı pompa-gözlem spektroskopi teknikleri kullanılarak büyütülen kristallerin doğrusal olmayan soğurma özellikleri ve ultrahızlı yük transfer dinamikleri araştırılmıştır. Çalışılan tüm kristaller, 1200 nm dalgaboyunda ve 100 fs atma süresinde doğrusal olmayan soğurma davranışları göstermiştir. Doğrusal olmayan soğurma katsayıları %0,1 Ce ve %0,1 Er katkılandırma atomları ile artmaktadır. Bu durum aynı zamanda katkılandırma atomları ile serbest taşıyıcı yoğunluklarının artmasına ve uyarılmış durum soğurmalarının meydana gelmesine neden olmaktadır. Kristallerin ikinci harmonik üretim sinyalleri fiber optik spektrometre yardımı ile ölçülmüştür. Katkılandırılmış GaSe kristallerinin ikinci harmonik üretim sinyalleri saf GaSe kristaline göre spektrumun mavi bölgesine kaymıştır. Ultrahızlı pompa-gözlem deney sonuçlarına göre saf GaSe kristali sürekli uyarılmış durum soğurmaları gösteriyorken, Ce ve Er katkılandırılmış olan kristallerde 2 nanosaniye zaman gecikmesinden sonra iletim bandının hemen altına karşılık gelen dalga boylarında (630 nm-650 nm) doyum sinyalleri gözlenmiştir. Doyum sinyalleri, katkılandırma atomları ile kristal içerisinde oluşan kusur seviyelerinin iletim bandının hemen altına yerleştiğini göstermektedir. Deney sonuçlarına göre, kristallerin doğrusal olmayan soğurma özellikleri, frekans çevrimi ve ultrahızlı yük transfer dinamikleri kristal içerisine yapılan katkılandırma atomları ile kontrol edilebilmektedir. Anahtar Kelimeler: Doğrusal olmayan soğurma, Z-tarama yöntemi, ultrahızlı spektroskopi, yarıiletken kristal.

show abstract

Optical properties of Tm-doped GaSe single crystals

Cited by 13 publications

References 16 publications

GaSe Yarıiletken Kristallerine Bor Katkılamanın Optik Sınırlama ve İki Foton Soğurma Özellikleri Üzerine Etkileri

GaSe Yarıiletken Kristallerine Bor Katkılamanın Optik Sınırlama ve İki Foton Soğurma Özellikleri Üzerine Etkileri

Fundamental Properties of Hydrogen-Functionalized GaSe Monolayer

GaSe Kristali İçerisindeki Katkılandırma Atomlarının Doğrusal Olmayan Soğurma, Ultrahızlı Dinamikler ve İkinci Harmonik Üretimi Davranışlarına Etkisi

Contact Info

Product

Resources

About