GaSe Yarıiletken Kristallerine Bor Katkılamanın Optik Sınırlama ve İki Foton Soğurma Özellikleri Üzerine Etkileri

Abstract

katkılı GaSe kristalleri dikey Bridgman-Stockbarger yöntemi kullanılarak büyütülmüştür. Yarıiletken kristallerin iki foton soğurma ve optik sınırlama özellikleri açık yarık Z tarama deney düzeneği kullanılarak incelenmiştir. Farklı bor katkılama oranlarında büyütülen GaSe yarıiletken kristaller 1064 nm dalga boyunda ve 4 nanosaniye atma süresinde iki foton soğurma ve optik sınırlama davranışları sergilediği gözlenmiştir. Yarıiletken kristallerin iki foton soğurma özelliklerinin bor katkılama yüzdesiyle arttığı sonucuna ulaşılmıştır. Çalışılan yarıiletken kristallerden %1 bor katkılı GaSe kristalinin, düşük giriş akısı değerinde en iyi optik sınırlama davranışı sergilediği görülmüştür. Yapılan açık yarık Ztarama deney sonuçlarına göre, yarıiletken kristallerin iki foton soğurma ve optik sınırlama özellikleri kristal içerisine yapılan bor atomlarının katkılama yüzdesi ile kontrol edilebilmektedir.Anahtar Kelimeler: Açık yarık z-tarama tekniği, iki foton soğurma, optik sınırlama.

Raman Yükselteç Modeli Üzerine Bir Çalışma

“…Raman saçılması oluşturma işleminde, gelen frekans fotonu bir molekülü temel durumdan sanal duruma uyarır. Daha sonra, bu molekül titreşim durumuna geri döner ve bir Stokes frekansı fotonunu serbest bırakır [3]. Sanal durum ile titreşim seviyesi arasındaki enerji, zemin ve sanal durum seviyesi arasındaki enerjiden daha küçük olduğu için bu şekilde sonuçlanır.…”