Optical and structural properties of InGaP heterostructures

Moriarty, G.R.; Kildemo, Morten; Beechinor, J.T.; Murtagh, M.; Kelly, P.V.; Crean, G.M.; Bland, Stewart

doi:10.1016/s0040-6090(99)00894-9

Cited by 14 publications

(12 citation statements)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Из формул свою очередь, зависит от длины волны излучения. По-этому при моделировании спектральных зависимостей коэффициента отражения учитывались как толщины сло-ев, входящих в состав InGaP-, GaAs-, Ge-субэлементов, так и полученные аналитические зависимости мнимых и вещественных частей диэлектрических проницаемостей от длины волны λ для этих слоев [12][13][14]. Используя эти зависимости в формулах (1)−(3) и варьируя толщины слоев ПП, находили их комбинации, обеспечивающие минимальное отражение в диапазоне спектральной чувствительности многопереходного СЭ.…”

Section: моделирование отражения электромагнитной волны слоистыми стрunclassified

Влияние Двух- И Трехслойных Просветляющих Покрытий На Формирование Фототоков В Многопереходных Солнечных Элементах На Основе a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Мусалинов¹,

Анзулевич²,

Bychkov³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

Представлены результаты моделирования методом матриц переноса двухслойного, TiO2/SiO2, и трехслойного, TiO2/Si3N4/SiO2, просветляющих покрытий для многопереходных гетероструктурных солнечных элементов InGaP/GaAs/Ge. Экспериментально получено и оптимизировано двухслойное просветляющее покрытие TiO2/SiO2. С использованием экспериментальных спектральных зависимостей квантового выхода фотоответа солнечного элемента InGaP/GaAs/Ge и оптических характеристик просветляющих покрытий, полученных при моделировании, определены значения плотностей фототоков отдельных каскадов трехпереходного солнечного элемента для условий облучения AM1.5D (1000 Вт/м2), а также для случая отсутствия потерь на отражение. В рамках моделирования показано, что оптимизированное трехслойное просветляющее покрытие TiO2/Si3N4/SiO2 дает выигрыш в величине плотности фототока на 2.3 мА/см2 (AM1.5D) для Ge-субэлемента по сравнению с рассматриваемым вариантом двухслойного просветляющего покрытия TiO2/SiO2, обеспечивая тем самым рост коэффициента заполнения вольт-амперной характеристики и выходной электрической мощности многопереходного солнечного элемента. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8355

show abstract

Section: моделирование отражения электромагнитной волны слоистыми стрunclassified

Влияние Двух- И Трехслойных Просветляющих Покрытий На Формирование Фототоков В Многопереходных Солнечных Элементах На Основе a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Мусалинов¹,

Анзулевич²,

Bychkov³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Equation (13) gives the constraint that the ratio between hydrogen and phosphine is conserved; the total pressure of the system is given by equation (14). Finally, equation (15) represents the conservation of the total atomic species in the system: it is derived from reaction (1), where for every two P atoms that react with GaAs, two atoms of As are etched away from the substrate.…”

Section: Gaasmentioning

confidence: 99%

“…Thus some authors have proposed the interposition of an intermediate layer between InGaP and GaAs [12,14,15] others have shown that good results can be obtained by flow interruption [13,16], others have also tried to modulate the flow of the hydride [17] or used novel switching sequences [18].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Thermodynamical analysis of abrupt interfaces of InGaP/GaAs and GaAs/InGaP heterostructures

Pelosi¹,

Attolini

Bosi

et al. 2005

Cryst. Res. Technol.

View full text Add to dashboard Cite

Interfaces between arsenide and phosphide III-V semiconductors have shown to be one of the most difficult issues to be understood and definitively solved. This problem is particularly relevant with Vapour Phase Epitaxy (VPE) and Metallo-Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE) techniques, since an irreproducibility in preparing abrupt interfaces between arsenide and phosphide has been evidenced. Several researchers have ascribed this problem to the volatility of arsenic and phosphorus species and since then for long time different recipes and growth procedures have been suggested in order to obtain sharp transition between the two different materials. In this work the film/substrate interface is modelled using thermodynamical calculations after the regular solution model proposed by Jordan and Ilegems: PH 3 flows over GaAs surface, and as a consequence the substrate is enriched with P, with the formation of a thin layer of GaAsP and mixed As-P gaseous species. Samples of InGaP on GaAs substrate were grown by MOVPE and characterised by Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) and Transmission Electron Microscopy (TEM) in order to support the theoretical findings.

show abstract

“…The important topic of InGaP/GaAs layer intermixing however has been examined in more detail [8], involving abinitio Adachi and Foroui-Bloomer dispersion models in order to interpret more rigorously any non-abrupt InGaP/GaAs interface region present. No improvement in the regression was achieved however, with the best fit unbiased estimator increasing to 2.5x10 -2 and attributed to the complicated multi-layer system, the similarity of the optical properties involved as well as the lack of sensitivity of the ellipsometric response to the 0.3µm deep interfacial layers.…”

Section: Dc-xrd Layer Thicknessmentioning

confidence: 99%

Heterojunction bipolar transistor characterization using noncontact optical spectroscopy

Murtagh¹,

Kelly²,

O'Looney³

et al. 2003

SPIE Proceedings

View full text Add to dashboard Cite

In this work we report the application of optical spectroscopic techniques namely photoreflectance (PR), ellipsometry and photoluminescence (PL) for qualification of InGaP/GaAs multi-layer heterojunction bipolar transistor (HBT) material. These techniques reveal important information regarding the quality of the different InGaP and GaAs layers for the emitter, base, collector and surface cap regions. In particular PR studies of non-optimal HBT material reveals InGaP (emitter) layer sub-lattice ordering effects, as correlated with selective area electron diffraction patterns (<311> & <511>). Moreover, comparison of the emitter/base interface field levels and InGaP ordering data reveals further evidence of a non-abrupt InGaP/GaAs heterojunction, proving to have adverse consequences for HBT current gain characteristics and consistent with measured reduced common emitter current gain. Supporting evidence for such nonoptimal, strained emitter/base region is provided from x-ray (004) & (002) diffraction but mainly from cleaved edge (g=002) dark field TEM, revealing significant interfacial non-uniformity, also likely correlated to the emitter layer ordering present. PR spectral information is compared with PL lineshape data -including Arrhenius (thermal) plots, while extracted interfacial electric field data are also supported by device finite-element (ANSYS) modelling. In summary this paper demonstrates the application of non-destructive and rapid techniques for evaluation and control of compound semiconductor materials for HBT technology.

show abstract

Optical and structural properties of InGaP heterostructures

Cited by 14 publications

References 9 publications

Влияние Двух- И Трехслойных Просветляющих Покрытий На Формирование Фототоков В Многопереходных Солнечных Элементах На Основе a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Влияние Двух- И Трехслойных Просветляющих Покрытий На Формирование Фототоков В Многопереходных Солнечных Элементах На Основе a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=-

Thermodynamical analysis of abrupt interfaces of InGaP/GaAs and GaAs/InGaP heterostructures

Heterojunction bipolar transistor characterization using noncontact optical spectroscopy

Contact Info

Product

Resources

About