On the no‐phonon structure in mixed crystals with indirect band structure

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A theoretical model is presented which is a modified version of an earlier description of indirect excitons in semiconductor mixed crystals. The influence of short-range disorder on the broadening of free direct exciton lines from the scattering of the exciton by this disorder potential is studied.This leads for 11-VI mixed crystals to a remarkable contribution to the observed disorder-induced broadening of the exciton lines while for the 111-V mixed crystals this contribution is negligibly small.Es wird ein theoretisches Model1 vorgestellt, das eine modifizierte Version einer friiheren Beschreibung der indirekten Exzitonen in Halbleitermischkristallen ist. Der EinfluD der kurzreichweitigen Unordnung auf die Verbreiterung der Linien der freien, direkten Exzitonen durch die Streuung der Exzitonen an diesem Unordnungspotential wird untersucht. Fur II-VI-Halbleitermischkristalle fiihrt dies zu einem bemerkbaren Anteil an der beobachteten unordnungsinduzierten Verbreiterung der Exzitonlinien, wahrend fur 111-V-Halbleitermischkristalle dieser Beitrag vernachlassigbar klein ist.

Section: Free Direct Excitons In Mixed Crystalsmentioning

confidence: 99%

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Disorder‐induced broadening for free direct excitons in II–VI and III–V semiconducting mixed crystals

Hennig

Strehlow²

1981

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“…1). Using the same formalism as in [3] we have derived an expression for the LA-phonon-assisted absorption which holds near threshold :…”

Section: Determination Of Jig'mentioning

confidence: 99%

“…Using the results of [3] we can describe the optical absorption due to disorderinduced transitions via exciton formation by the following expression : …”

Section: Determination Of Jmentioning

confidence: 99%

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On the quantitative characterization of chemical disorder of In_1−xGa_xP from wavelength‐modulated No‐phonon absorption

Strehlow¹,

Kuhn²,

Friedrich³

et al. 1978

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Wavelength-modulated transmission spectra of the no-phonon structure of In1 -%Ga,P are quantitatively analysed on the basis of a recently developed theory. From this comparison the Koster-Slater parameter J characterizing the magnitude of chemical disorder is determined. The theory also well accounts for the experimentally observed lineshape of the no-ph6non structure. From the intensity ratio of the no-phonon and LA-phonon-assisted transitions the quantity JJC is estimated where C is the deformation potential constant for lattice deformation by LA phonons.Es werden Wellenliingen-modulierte Transmissions-Spektren der Null-Phonon-Struktur von In1 -,Ga,P auf der Grundlage einer kiirzlich entwickelten Theorie analysiert. Aus diesem Vergleich wird der die chemische Unordnung charakterisierende Koster-Slater-Parameter J bestimmt. Auch die experimentell beobachtete Linienform der Null-Phonon-Struktur wird von der Theorie gut wiedergegeben. Aus dem Intensitiitsverhaltnis des Null-Phonon-und des LA-Phonon-Vbergangs wird die GroBe J/C ermittelt, wobei C die Deformationspotential-Konstante fiir Gitterdeformation durch LA-Phononen ist.

Single‐site theory of Wannier excitons in disordered semiconductors. I. General considerations

Fischbeck¹,

Strehlow²

1979

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Starting from the general theory of interacting disordered systems a Bethe-Salpeter equation is derived which describes Wannier excitons in disordered semiconductors. It contains both the Coulomb and the disorder vertex. The former is taken in the static ws approximation whereas the latter is derived from a single-site approximation. Replacing the Coulomb vertex b y an approximate product kernel this equation can be solved. An expression for the imaginary part of the dielectric function is obtained which is accessible to numerical evaluations.Ausgehend von der allgemeinen Theorie wechselwirkender ungeordneter Systeme wird eine BetheSalpeter-Gleichung abgeleitet, die Wannier-Exzitonen in ungeordneten Halbleitern beschreibt. Sie enthalt sowohl den Coulomb-als auch den Unordnungs-Vertex. Der erstere wird i n der statischen v,-Approximation genommen, wahrend der letztere aus einer Ein-Zentren-Approximation abgeleitet wird. Diese Gleichung kann gelost werden, wenn man den Coulomb-Vertex naherungsweise durch einen Produkt-Kern ersetzt. Ein Ausdruck fur den Imaginarteil der dielektrischen Funktion wird gefunden, der numerischen Berechnungen zuganglich ist.