Disorder‐induced broadening for free direct excitons in II–VI and III–V semiconducting mixed crystals

A calculation of the local-environment effect on nitrogen bound excitons and excitonic molecules in 111-V-mixed crystal alloys is represented. The stochastic alloy potential is treated by means of perturbation theory, and a random distribution of As and P atoms in the appropriate sublattice is assumed. Because of special considerations concerning the concentration dependence of the averaged alloy potential the method is free of adjustable parameters. The density of states and its statistical momenta are calculated including electrons and holes simultaneously. The method is applied to GaAsl -%P%: N. Good agreement with measured bandwidths for bound excitons is obtained.Der EinfluB der lokalen Umgebung auf stickstoffgebundene Exzitonen und Exzitonenmolekiile in 111-V-Mischkristallen wird berechnet. Das stochastische Legierungspotential wird mittels Storungstheorie und unter der Annahme einer zufiilligen Verteilung von As-und P-Atomen im entsprechenden Untergitter verarbeitet. Durch spezielle Betrachtungen zur Konzentrationsabhangigkeit des Legierungspotentials bleiben keine freien Parameter in der Berechnungsmethode. Sowohl die Zustandsdichte als auch deren statistische Momente werden berechnet, wobei die Elektronen und Locher gleichzeitig eingehen. Die Methode wird auf GaAsl-,P,: N angewendet. Gute Ubereinstimmung mit experimentellen Daten des gebundenen Exzitons wird gefunden.

supporting

confidence: 85%

Influence of Local Environment on Bound Excitons and Bound Excitonic Molecules in III‐V Alloys. I. Theory and Numerical Results for GaAs_1−xP_x:N

Müller

1985

Anomalous composition dependence of the dielectric constant in bismuth‐antimony alloys due to disorder‐induced indirect interband polarization processes

Enders

Schuchardt

1986

The strong increase of the dielectric constant observed at a critical antimony concentration in semiconducting bismuth-antimony alloys is interpreted in terms of a purely electronic interband polarization enhanced by vanishing of the thermal energy gap. The dominant indirect transitions between conduction and valence band states near the L-and T-points of the Brillouin zone are considered as induced by the short-range scattering potential due to the chemical disorder of the alloy. Reasonable system parameters allow for a satisfactory fit to the experimental data.Das bei einer kritischen Antimonkonzentration beobachtete starke Anwachsen der dielektrischen Funktion der ha,lbleitenden Wismut-Antimon-Legierung wird als Effekt einer uber das Verschwinden des thermischen Energiegaps ,,angeheizten" elektronischen Interbandpolarisation interpretiert. Dabei wird angenommen, daR die dominanten indirekten Ubergange zwischen Leitungs-und Valenzbmdzustiinden nahe den L-und T-Punkten der Brillouin-Zone durch ein kurzreichweitiges Strenpotential induziert werden, das auf die chemische Unordnung in der Legierung zuruckgeht. Mit verniinftigen Systemparametern gelingt eine befriedigende Anpassung an die experimentellen Resultate.

Recombination radiation and electroreflection of excitons in Zn_xCd_1−xSe solid solutions

Mashchenko

Ziborov

1986

The simultaneous investigation of electroreflection (ER) and secondary radiation (SR) spectra of Zn,Cdl-,Se solid solutions under off-resonance (resonance) laser excitation at 5 to 300 K reveals the fine structure of the fundamental absorption edge which arises from the direct and indirect creation and annihilation of excitons of series re-Ts or r7-ra and r7-F7. The shape of the SR exciton line a t low temperatures is determined by the exciton trapping processes at random potential fluctuations of composition. This statistic random potential manifests itself in a blue shift of the SR exciton line with the N-laser excitation. The behaviour of the SR exciton line at 77 K is strongly governed by the exciton annihilation processes with the simultaneous emission or absorption of LO phonons. A possible effect of extended and self-trapped exciton states in SR spectra at high temperature is considered. Die simultane Untersuchung der Elektroreflexions(ER)-und Sekundarstrahlungs(SR)-Spektren