Bu çalışmada kullanılan Al/TiO 2 /p-Si Schottky Diyotu (SD) termal buharlaştırma yöntemi kullanılarak oluşturuldu. Aygıtın elektriksel özellikleri geniş sıcaklık aralığında ve farklı aydınlanma şiddetlerine bağlı olarak gerçekleştirildi. Sıcaklığa bağlı ölçümler 20 K adım aralıklarla 100 K ve 320 K aralığında gerçekleştirildi. Artan sıcaklıkla birlikte, aygıtın idealite faktörü değeri 4,878'den 2,305'e kadar azalmaktayken, engel yüksekliği ise 0,287 eV'den 0,714 eV'e kadar artmaktadır. Aygıt için elde edilen diyot parametreleri literatürdeki çeşitli yöntemlerle elde edilen benzer yapılarla karşılaştırıldı. Yerli oksit tabaka, kirlilikler, tüketim bölgesi kalınlığı gibi nedenlerden dolayı arayüzey durumlarının değerinin 10 14 eV -1 cm -2 mertebesinde olduğu sonucuna varıldı. Işık şiddetine bağlı olarak gerçekleştirilen ölçümlerde idealite faktörü değeri artan ışık şiddetiyle 2,238'den 2,868'e kadar artmaktayken, engel yüksekliği değeri 0,645 eV'den 0,574 eV'ye kadar azalmaktadır. Ayrıca yapının fotoakım-zaman grafiği çizilerek ışığa tepkisi incelendi ve aygıtın ışığa tepki süresinin 0,26 s'den az olduğu bulundu.