Observations of Zener Current in Germaniump−nJunctions

Hot carrier luminescence during porous etching of GaP under high electric field conditions

“…6, corresponds to a band bending of 2.8 and 3.5 eV for the higher and lower doped electrodes, respectively. The relation between the current density due to inter-band tunnelling and the electric field, which was first derived by Zener [23] and extended for large bandgap semiconductors by McAfee et al [24], is given by…”

Zener tunneling in conductive graphite/epoxy composites: Dielectric breakdown aspects

“…The second is the Zener breakdown, which involves the transitions of charge carriers between the valence and conduction band induced by appreciable electric fields [28]. It is also widely referred to as the interband tunneling, and commonly observed in semiconductor crystals [29], such as heavily doped p-n junctions [30]. As recognized, conventional tunneling involves the transition of charge carriers over an energy barrier.…”

Внутреннея Автоэлектронная Эмиссия

“…Так как η = ζ/α 3 , где а -постоянная решетки, то из соотношения hc^pa=pk~1 (ρ-квазиимпульс электрона) следует, что v^qEa/h. Отсюда приближенное выражение для плотности тока имеет вид 13 где V -падение напряжения на расстоянии х.…”

“…Мак-Афи, Райдер, Шокли и Спаркс 13 впервые интерпретировали пробой в ρ-/г-переходах в германии как следствие эффекта Зинера (рис. 6).…”

“…Вольт-амперная характеристика германиевого ρ-л-перехода, в котором, как предполагалось перво-начально, пробой обусловлен механизмом ВАЭ (см. 13 ).…”