Novel nanostructure architectures

Schmidt, Oliver G.; Rastelli, Armando; Kar, Gouri Sankar; Songmuang, R.; Kiravittaya, Suwit; Stoffel, M.; Denker, U.; Stufler, S.; Zrenner, A.; Grützmacher, Detlev; Nguyen, B.-Y.; Wennekers, P.

doi:10.1016/j.physe.2004.06.027

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“…[113][114][115] In this case, the diameter of the tubes is defined by the layer thicknesses and built in strains. [113] Fabrication of micro-and nanostructures using wafers with an embedded sacrificial layer is attractive due to the versatility, and experimental simplicity of the approach.…”

Section: Top-down Approachesmentioning

confidence: 99%

Semiconductor Wires and Ribbons for High‐ Performance Flexible Electronics

et al. 2008

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This article reviews the properties, fabrication and assembly of inorganic semiconductor materials that can be used as active building blocks to form high-performance transistors and circuits for flexible and bendable large-area electronics. Obtaining high performance on low temperature polymeric substrates represents a technical challenge for macroelectronics. Therefore, the fabrication of high quality inorganic materials in the form of wires, ribbons, membranes, sheets, and bars formed by bottom-up and top-down approaches, and the assembly strategies used to deposit these thin films onto plastic substrates will be emphasized. Substantial progress has been made in creating inorganic semiconducting materials that are stretchable and bendable, and the description of the mechanics of these form factors will be presented, including circuits in three-dimensional layouts. Finally, future directions and promising areas of research will be described.

show abstract

Section: Top-down Approachesmentioning

confidence: 99%

Semiconductor Wires and Ribbons for High‐ Performance Flexible Electronics

et al. 2008

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“…Facets and steps appear spontaneously, or strain relief can create a self-organized nanopattern on the metal or semiconductor surface [22,[66][67][68]. The local periodicity of nanostructure and limited surface area of ordered domains are insuperable disadvantages of the method.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Highly Ordered Anodic Porous Alumina Formation by Self‐Organized Anodizing

Sulka

2008

Nanostructured Materials in Electrochemistry

236

298

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“…[117,118] Nanoröhren und andere ungewöhnliche Strukturen lassen sich auch durch Abscheidung von Schichten aus Ge, GaAs und ähnlichem auf Substraten (z. B. Silicium) mithilfe von Molekularstrahlepitaxie erhalten, [113][114][115] wobei die Durchmesser der Röhren durch die Schichtdicken und die Spannungen bestimmt werden. [113] Die Herstellung von Mikro-und Nanostrukturen auf Wafern mit zusätzlichen Opferschichten ist ein einfaches und vielseitiges Verfahren.…”

Section: "Top-down"-verfahrenunclassified

Halbleiterdrähte und ‐bänder als flexible Bauelemente für die Hochleistungselektronik

et al. 2008

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In diesem Aufsatz werden die Eigenschaften und die Herstellung anorganischer Halbleitermaterialien behandelt, die als aktive Elemente für Hochleistungstransistoren und Stromkreise in großflächigen, flexiblen und biegestabilen elektronischen Bauteilen eingesetzt werden können. Die Realisierung hoher Leistungsdichten auf Niedertemperaturpolymeren ist eine technische Herausforderung für die Makroelektronik. Die Produktion qualitativ hochwertiger anorganischer Materialien in Form von Drähten, Bändern, Membranen, Schichten und Stäben nach “Bottom‐up”‐ und “Top‐down”‐Verfahren und die Strategien zur Montage dieser Bauteile auf plastischen Substraten werden daher besonders betont. Wichtige Fortschritte auf dem Gebiet dehnbarer und biegsamer anorganischer Halbleitermaterialien und die Grundlagen dieser mechanischen Stabilität sowie dreidimensionale Konstruktionen werden diskutiert. Abschließend werden die Perspektiven dieses vielversprechenden Forschungsfelds beleuchtet.

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Novel nanostructure architectures

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Semiconductor Wires and Ribbons for High‐ Performance Flexible Electronics

Semiconductor Wires and Ribbons for High‐ Performance Flexible Electronics

Highly Ordered Anodic Porous Alumina Formation by Self‐Organized Anodizing

Halbleiterdrähte und ‐bänder als flexible Bauelemente für die Hochleistungselektronik

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