Noise characterization of Schottky barrier diodes for high-frequency mixing applications

Monte Carlo analysis of noise spectra in self-switching nanodiodes

“…Once the barrier disappears ͑for V Ͼ 0.4 V, I Ͼ 50 A / m͒, a strong electron heating takes place and the noise temperature increases significantly over the lattice temperature. This behavior of the noise temperature is quite similar to that found in other barrier-controlled devices, such as Schottky barrier diodes, [12][13][14] except in the very sharp increase observed once the barrier disappears, which is more pronounced in SSDs.…”

“…T n is an important parameter used to experimentally characterize the noise properties of diodes. 12,13 At low currents, corresponding to the exponential region of the I-V characteristic, the noise temperature is close to half the value of the lattice temperature. This is a feature associated with an ideal exponential dependence of the forward current on the applied voltage ͓I ϰ exp͑qV / k B T͔͒, which usually goes along with the previously commented full shot-noise behavior, S I ͑0͒ =2qI.…”

Microwave noise measurements on /GaAs channels grown by molecular beam epitaxy using and

“…Figure 2 shows a schematic of the experimental arrangement used to measure the noise temperature of the samples. This arrangement is based on the circulator method originally devised by Gasquet et al [13], and has Bias T been used by several authors to test the validity of noise models of different devices and technologies at microwave and millimeter-wave frequencies [14].…”

Análisis de efectos de carga superficial en nanodispositivos semiconductores modelizados mediante simulaciones Monte Carlo

“…del diodo T n =S I (0)R/4K B en función de la corriente en directa(Figura IV.25). R es la resistencia incremental de baja frecuencia calculada como la pendiente de la curva I-V. La temperatura de ruido es un parámetro muy importante en la caracterización experimental de las propiedades del ruido de diodos 139,154. Para corrientes pequeñas, correspondientes a la región exponencial de la característica I-V, la temperatura de ruido es la mitad de la temperatura de la red, T n =T 300 /2.…”

“…El origen de este máximo lo atribuimos inicialmente (más adelante explicaremos la interpretación de otros autores) a efectos de portadores que se dan la vuelta, denominados returning carriers, en las zonas de carga espacial originadas por la carga superficial a ambos lados de las zanjas dieléctricas verticales. Tal y cómo podemos ver en el inset de la Figura IV.28(b), si representamos S I ( f ) en escala log−log, el espectro muestra el comportamiento f 2 encontrado en diodos de barreraSchottky,139,142,154 indicándonos que se trata de un acoplo capacitivo de las fluctuaciones del ruido a los terminales del dispositivo típico de los returning carriers. La posición de ambos máximos es prácticamente independiente del potencial aplicado (tanto en directa como inversa) mientras la corriente sea lo suficientemente pequeña.…”