New Magnetic Properties of Silicon/Silicon Oxide Interfaces

Kopnov, G.; Vager, Z.; Naaman, Ron

doi:10.1002/adma.200601762

Cited by 57 publications

(27 citation statements)

References 23 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…чи-стых и допированных немагнитными элементами окис-лов HfO 2 [1][2][3], TiO 2 [4,5], ZrO 2 [6][7][8][9][10], ZnO [11][12][13], SiO 2 [14][15][16] привлекают большое внимание из-за их потенциального применения в устройствах спинтроники. Авторы [17,18] сообщали об обнаружении ферромагне-тизма при комнатной температуре (ФМКТ) в наноча-стицах отдельных оксидов, в частности оксида Al 2 O 3 .…”

Section: Introductionunclassified

Cтруктурные И Магнитно-Люминесцентные Свойства Допированного Углеродом Оксида Алюминия

Ильвес¹,

Зуев²,

Мурзакаев³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Импульсным электронным испарением в вакууме получены трехфазные (корунд + δ-фаза + аморфная фаза) аморфно-нанокристаллические порошки чистого и допированного углеродом Al 2 O 3 (x C = 1.07−6.6 wt.%). Размер гексагональных нанокристаллов корунда в нанопорошке Al 2 O 3 −C (x C = 1.07 wt.%) составлял около 5 nm. Граница растворимости углерода в решетке Al 2 O 3 находилась ниже 1.07 wt.% С. Установлена зависимость формы катодолюминесцентных спектров и фазового состава полученных нанопорошков Al 2 O 3 и Al 2 O 3 −C от материала испаряемой мишени. Обнаружено отсутствие R-линий от примесных ионов Cr ВведениеСовременные исследования ферромагнетизма в низ-коразмерных структурах (тонких пленках, покрытиях, наночастицах (НЧ), нанопорошках (НП) и др.) чи-стых и допированных немагнитными элементами окис-лов показали ФМКТ c ясной петлей гистерезиса при температуре 390 K и удельной намагниченностью при 300 K около 3.5 · 10 −3 emu/g. Тонкие пленки оксида алюминия благодаря лучшей стабильности и высокой диэлектрической проницаемости широко используются в спинтронных приложениях и в будущем могут стать заменой традиционного полупроводника SiO 2 в устрой-ствах MOП (металл−оксид−полупроводник) и в других областях [19].Расчеты из первых принципов (ab initio) показали, что ферромагнетизм в Al 2 O 3 может быть индуцирован за счет допирования углеродом Al-и O-узлов решетки, в которых спиновые плотности локализуются в основном на С-допанте [20]. Допирование углеродом в узлах Al приводит к сужению запрещенной зоны и значительно изменяет потолок валентной зоны, хотя допирование С в узлах О действует на краях запрещенной полосы слабо.Однако

show abstract

Section: Introductionunclassified

Cтруктурные И Магнитно-Люминесцентные Свойства Допированного Углеродом Оксида Алюминия

Ильвес¹,

Зуев²,

Мурзакаев³

et al. 2017

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…34,38 On the other hand, Kopnov et al report on an interface magnetism occurring at the Si/SiO 2 interface. 40 Within this study they claim that the dependence of the magnetic response is correlated to surface pre-treatment using KOH etch solution. 40,41 Basically, all the above described possibilities have the ability to produce a magnetic signal which lies in the observed range of 1 Â 10 À4 -1 Â 10 À5 emu.…”

Section: Pre-evaluation Of Substrate Materialsmentioning

confidence: 99%

“…40 Within this study they claim that the dependence of the magnetic response is correlated to surface pre-treatment using KOH etch solution. 40,41 Basically, all the above described possibilities have the ability to produce a magnetic signal which lies in the observed range of 1 Â 10 À4 -1 Â 10 À5 emu. Therefore, besides the proper sample handling, it is most essential to remove the native oxide and to strip off any possible contamination when working within such low magnetic regimes to avoid any misinterpretation of the measurements results.…”

Section: Pre-evaluation Of Substrate Materialsmentioning

confidence: 99%

Magnetic and microstructural properties of sputter deposited Cr-doped aluminum nitride thin films on silicon substrates

Wistrela

Bittner

Schneider

et al. 2017

Journal of Applied Physics

View full text Add to dashboard Cite

In this paper, we report on the microstructural and magnetic properties of CrxAl1−xN thin films with Cr concentrations ranging up to x = (8.5 ± 0.5) at. %. The thin films are sputter deposited on silicon substrates and exhibit a wurtzite type microstructure verified by X-ray diffraction measurements. A vibrating sample magnetometer based measurement equipment is used to investigate magnetic properties of the Cr doped thin films in a temperature range of T = 10 K–300 K, revealing a paramagnetic behavior. With increasing temperature, the temperature independent diamagnetic contribution of the substrate material dominates the overall response characteristics. No room temperature ferromagnetism is observed for all samples investigated.

show abstract

“…The instances include oxide thin films [1] and nanoparticles, [2] either undoped or doped with only a few percent of magnetic 3d ions, gold nanoparticles, [3] organic layers on gold surfaces, [4] graphite and related materials, [5,6] and, most recently, etched silicon. [7] Features of the ferromagnetic signal are that it shows little hysteresis, with a coercivity of less than 10 mT. There is often little or no temperature dependence of the magnetization curve in the range 4-400 K, and sometimes the signal is highly anisotopic with respect to the substrate surface.…”

mentioning

confidence: 97%

“…Recently Kopnov et al [7] reported that it was possble to obtain a large magnetic signal by etching a silicon wafer in KOH. This was a straightforward procedure, which promised to allow at least one instance of phantom ferromagnetism to be systematically examined.…”

mentioning

confidence: 99%